制作工艺兼容
该传感器制作工艺相对简单，且mems工艺与ic工艺兼融，成本相对较低。通过结构设计，可提高性能 利用芯片结构设计，其灵敏度可以做得很高，实现微、低压力的测量。利用“双岛结构”可实现10ka的硅微压传感器，利用“梁膜结构”可实现1ka的硅微微压传感器称重传感器。利用硅压阻压力传感器的结构设计，可实现隔离膜片充液封装，提高硅压阻压力传感器的可靠性和稳定性。
线性好
硅压阻压力传感器，输入和输出之间存在着良好的线性关系，由于硅压阻压力传感器通常有四个力敏电阻组成全桥式的惠斯登桥路，四个电阻虽都受到横向压力，且有相似的非线性特性，但构成全桥时，非线性特性可相互抵消，因此非线性可以做得很小。
工艺成熟
硅压阻压力传感器制作工艺成熟，生产厂家通常提供恒流、恒压供电的温度补偿网络。
缺点
从原理上讲，硅压阻压力传感器是以硅材料为基础的物性型传感器，硅材料受环境温度影响较大，会产生很大的零点温度漂移和灵敏度温度漂移，且形式多样，对提高器件的稳定性很不利，同时硅压阻压力传感器必须进行温度补偿，否则工业上很难应用；建立一套完整的温度补偿技术，不仅增加成本，同时也增加了人力资源，从某种意义上来说，极大地限制了硅压阻压力传感器位移传感器的广泛应用。更多压力传感器相关文章请见沧正传感