制备方案-镶嵌
使用冷镶嵌，由于精微屏蔽罩的尺寸很小，所以在镶嵌时应借助定位座和双面胶来定位试样。
-磨抛
由于试样很小故应从较细的砂纸开始研磨，注意要合理设置研磨时间以防磨过欲观察面。利用较粗砂纸快速接近观察面，然后用细砂纸边磨边观察是否已到欲观察面。使用多晶金刚石抛光液配合较硬的机织布抛光去除变形层以使屏蔽罩截面的轮廓清晰。
特鲁利推荐如下磨抛工艺以供参考：
步骤
1
2
3
制备表面
sic砂纸
ys抛光布
sc抛光布
粒号
p400~p2500
3μm多晶金刚石抛光液
1μm多晶金刚石抛光液
冷却润滑剂
水
/
/
单个试样负载/n
20
20
22
时间/ s
合理设置
300
120
磨头转速/rpm
80
80
80
底盘转速/rpm
200
150
150
转向
同向
同向
同向
微型屏蔽罩 50×