2，怎么知道自己的固态硬盘是什么颗粒 。。“固态硬盘的颗粒”指ssd电路板上的闪存芯片啦。这“颗粒”有 slc、mlc、tlc、3d tlc类型，其读写速率和寿命与闪存类型密切相关。辨别，目前还只能靠查看产品的技术参数得知。
3，nand slc ssd是什么 nand是目前闪存颗粒用的技术，ssd里面的存储颗粒就是一颗颗nand flash（闪存）slc表示一种闪存颗粒的类型，区别是最小存储单元可以存储的数据位数量。如果最小存储单元只区分2个电位（高低电位），等于只能存储0或1，即1位（1bit）数据。这种类型的nand闪存就叫做slc。以此类推，还有mlc：最小存储单元区分4个电位，即00，01，10，11。tlc：区分8个电位。同样一个最小的存储单元，区分的电位越多，存储密度越大。假设一颗slc nand是1gb的话，做成mlc就是2gb，tlc就是3gb。所以slc会比后面的贵得多，容量也不容易做大。但slc好处是：区分的电位越多，每个电位间区别越小，读写速度越慢（难以识别和写入），寿命也越短（损耗一点点就错位了）。所以slc比mlc、tlc速度快，可擦写次数更多。目前的情况是，slc一般用于企业级ssd，以及intel智能响应技术的加速盘。mlc一般用于桌面级ssd。tlc的ssd因为技术和可靠性的原因几乎还没有。但tlc则已经几乎统治了u盘和存储卡市场（因为价格战太厉害，利润太低，没人愿意上好的nand）。所以除非是高速的存储卡，u盘和存储卡存数据是很不可靠的哦。mlc的理论可写入次数仅为1万次左右，slc的可达到10万次左右。意思就是你可以用那种芯片的u盘复制、粘贴、删除数据等次数1万或10万次，也就是他们的理论寿命。各有各的优点缺点。日立企业级ssd（固态硬盘）。想想就可以了意淫下吧！任何一款企业级ssd的价格都是足以让我等仰望的！
4，现在mlc颗粒的固态硬盘有哪些 基本上都是这种。就好比你再问，现在非曲屏手机有哪些？那不就忒好找了吗？曲屏手机只有5粗拢共6款手机，剩余的海量手机都是非曲屏的手机。是一个意思。分为slc/mlc/tlc，而随着晶圆物理极限的不断迫近，固态硬盘上单体的存储单元内部的能够装载的闪存颗粒已经接近极限了，更加专业的术语表述就是单die能够装载的颗粒数已经到达极限了，要想进一步扩大单die的可用容量，就必须在技术上进行创新。?晶圆物理容量已接近极限于是，3d nand技术也就应运而生了。在解释3d nand之前，我们先得弄清楚2d nand是什么，以及“2d”和“3d”的真实含义。首先是2d nand，我们知道在数学和物理领域，2d/3d都是指的方向，都是指的坐标轴，“2d”指的是平面上的长和宽，而“3d”则是在“2d”基础上，添加了一个垂直方向的“高”的概念。由此，2d nand真实的含义其实就是一种颗粒在单die内部的排列方式，是按照传统二维平面模式进行排列闪存颗粒的。相对应的，3d nand则是在二维平面基础上，在垂直方向也进行颗粒的排列，即将原本平面的堆叠方式，进行了创新。利用新的技术(即3d nand技术)使得颗粒能够进行立体式的堆叠，从而解决了由于晶圆物理极限而无法进一步扩大单die可用容量的限制，在同样体积大小的情况下，极大的提升了闪存颗粒单die的容量体积，进一步推动了存储颗粒总体容量的飙升。第一款：美光(micron)旗下品牌 英睿达(crucial) bx300系列 sata ssd第二款：建兴(liteon) 睿速系列 t10 pcie/nvme ssd。第三款：金士顿(kingston) ms200系列 sata ssd第四款：金泰克（tigo）s520系列 sata ssd 5，2012 ssd迅速普及 mlcslc颗粒你懂吗 经过3-4年的发展，如今固态硬盘已经成为很多用户垂延的it产品 ，大家不再纠结它容量太小，而是更加依赖它高速读写能力。虽然用户开始关注ssd硬盘 固态硬盘flash颗粒 要认清问题，首先要搞明白什么是slc和mlc，它们属于两种不同类型的nand flash存储器，用来作为mp3播放器、u盘、固态硬盘等产品的存储介质。slc全称是single-level cell，即单层单元闪存，而mlc全称则是multi-level cell，即为多层单元闪存。它们之间的区别，在于slc每一个单元，只能存储一位数据，mlc每一个单元可以存储两位数据，mcl的数据密度要比slc大一倍。 ● slc和mlc芯片 这样在nand flash的底层存储上就引出了两种不同的模式，slc（single level cell）和mlc（multi levels cell），它们之间各有优缺点，现在在各类产品中都有采用。下面这样表格可以较为直观的展示出他们性能区别。 slc nand flash mlc nand flash random read 25 μs 50 μserase2ms per block 2ms per block programming 250 μs 900 μs slc的一个flash存储单元只有两种电荷值，高低不同的电荷值表明0或者1，因为只需要一组高低电压就可以区分出0或者1信号，所以slc最大的驱动电压可以做到很低。slc结构简单，用一组变化电压驱动，速度很快同时寿命较长也更为可靠，不过这种一个block只存储一组数据的模式无法在相同的晶圆面积上实现较高的存储密度，存储容量提高完全依赖芯片工艺的提升。 slc芯片mlc闪存芯片 mlc故名思义在存储单元中实现多位存储能力，典型的是2bit。它通过不同级别的电压在一个单元中记录两组位信息（00、01、11、10），这样就可以将原本slc的记录密度理论提升一倍。因为电压变化更频繁，所以mlc技术的flash在寿命方面远劣于slc，同时它的读写速度不如slc，一个block存储两组位数据，自然需要更长的时间，这里面还有电压控制、crc写入方式等因素需要考虑。 slc和mlc电压驱动的存储能力区别 显而易见，slc在寿命和性能方面拥有独特的优势，不过需要更好的工艺制程才能拥有较大的容量。而mlc虽然在容量方面有先天的优势，但在速度和寿命方面存在先天的不足。这就区格了它们的应用，slc用在不计成本追求速度和可靠性的企业级产品中，mlc更适合在消费级产品中部署。