本教程操作环境：windows10系统、dell g3电脑。
igbt是什么电子元件igbt是绝缘栅双极型晶体管电子元件
igbt(insulated gate bipolar transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由（bipolar junction transistor，bjt）双极型三极管和绝缘栅型场效应管（metal oxide semiconductor，mos）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有（metal-oxide-semiconductor field-effect transistor, mosfet）金氧半场效晶体管的高输入阻抗和电力晶体管（giant transistor，gtr）的低导通压降两方面的优点。gtr饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；mosfet驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。igbt综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600v及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
igbt模块具有节能，安装维修方便，散热稳定等特点，当前市场上销售的多为此类模块化产品，一般所说的igbt也指igbt模块，随着节能环保等理念的推进，此类产品在市场上将越来越多见。
igbt是能源变换与传输的核心器件，俗称电力电子装置的“cpu”，作为国家战略性新兴产业，在轨道交通、智能电网、航空航天、电动汽车与新能源装备等领域应用极广。
结构如下：
左边所示为一个n沟道增强型绝缘栅双极晶体管结构， n+区称为源区，附于其上的电极称为源极（即发射极e）。n基极称为漏区。器件的控制区为栅区，附于其上的电极称为栅极（即门极g）。沟道在紧靠栅区边界形成。在c、e两极之间的p型区（包括p+和p-区）（沟道在该区域形成），称为亚沟道区（subchannel region）。而在漏区另一侧的p+区称为漏注入区（drain injector），它是igbt特有的功能区，与漏区和亚沟道区一起形成pnp双极晶体管，起发射极的作用，向漏极注入空穴，进行导电调制，以降低器件的通态电压。附于漏注入区上的电极称为漏极（即集电极c）。
igbt的开关作用是通过加正向栅极电压形成沟道，给pnp(原来为npn)晶体管提供基极电流，使igbt导通。反之，加反向门极电压消除沟道，切断基极电流，使igbt关断。igbt的驱动方法和mosfet基本相同，只需控制输入极n-沟道mosfet，所以具有高输入阻抗特性。当mosfet的沟道形成后，从p+基极注入到n-层的空穴（少子），对n-层进行电导调制，减小n-层的电阻，使igbt在高电压时，也具有低的通态电压。
更多相关知识，请访问常见问题栏目！
以上就是igbt是什么电子元件的详细内容。