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半导体激光器内部结构及原理
半导体激光器的工作物质有砷化钾（gaas），砷化铟（inas），锑化铟（insn），铝化镓（gaalas）等，输出波长大都在可见光的长波到近红外之间，医用短的有650nm（常用作瞄准光），常见的波长有810nm,980nm等，不同种类的半导体激光器输出功率差别较大：双异质结条形激光器连续输出功率为数百毫瓦，脉冲输出可达几十瓦；激光列阵器件连续输出功率可达百瓦级，脉冲输出达千瓦级；可调谐激光器连续输出功率为零点几毫瓦，脉冲峰值功率可达几十瓦。
较常用的810nm半导体激光器功率为0.5~25~60w，治疗模式为0.1~9.9s单脉冲、重复脉冲及连续输出，采用400、600、1000nm接触式及非接触式光纤和探头传输，汽化效果较1064nm快三倍灵活应用。 半导体激光器电光转换率高（30%），没有多余的热量产生，从而避免了传统灯泵浦激光和气体激光器所需的庞大水冷系统，因此体积精巧，重量轻。同时，它也没有传统激光的闪光灯、晶体棒等高压、高热易损元件，因而寿命较长，一般半导体芯片的寿命可达100万小时，具有操作方便，机动灵活，耗电少，效率高等优点。由于半导体激光器的谐振腔短，所以产生激光的方向性较差，发散角较大。此外，因其能极复杂，所以产生激光的谱线较宽，单色性较差。