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C2M0280120D

2017/10/14 11:02:57发布69次查看ip:101.229.231.41发布人:111

扇港电子（深圳）有限公司 专注于功率器件研发和销售，致力于为客户提供低功耗，高性能，交期更短器件。
sic‐mosfet 与igbt 不同，不存在开启电压，所以从小电流到大电流的宽电流范围内都能够实现低导通损耗。而si‐mosfet 在150℃时导通电阻上升为室温条件下的2 倍以上，与si‐mosfet 不同，sic‐mosfet的上升率比较低，因此易于热设计，且高温下的导通电阻也很低。
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