虽然三星解释说这与使用tlc规格闪存无关,但人们还是免不了再次把怀疑的目光投向它。
好在三星是负责任的,承诺的新固件也终于来了,今天就为840 evo放出了新版本“ext0db6q”。
由于掉速问题的根源在于19nm tlc nand闪存本身,cell单元的充电电荷会随时间衰减,导致硬盘在获取正确数据的时候不得不反复尝试读取?
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为了方便用户手动控制,magician 46版工具还加入了高级性能优化(advanced performance optimization),类似三星此前给出的性能恢复工具,用户让固态硬盘重写所有内部数据。
这自然会消耗山村的一部分编程擦写循环,而且考虑到tlc闪存的寿命本来就相对较短,是不是更不耐用了?这个要从两方面看了:首先,寿命缩短是必然的;其次,不会短到没法用,因为tlc的编程擦写循环至少有1000次,而即便你每周刷新一次,持续五年,也只会消耗总次数的26%,剩下的仍然够用好多年的。
另外,三星已经开始全面转向3d v-nand,新的立体闪存比传统平面闪存更加可靠,不会再有类似的问题了。
840 evo ext0db6q固件官方下载(iso可启动镜像)::ssdsamsungsemicomecomobilessdupdate3do?fname=samsung_ssd_840_evo_ext0db6qiso