led二极管iv测试数字源表 产品详情
led二极管iv测试数字源表概述
led（全称为light-emitting diode）是一种能发光的半导体电子元件。和普通的二极管一样，这些半导体材料会预先透过注入或搀杂等工艺以产生p、n架构。led只能够往一个方向导通（通电）,当在两端加载合适的电压后，电流可以从p极（阳极）流向n极（阴极），而相反方向则不能。两种不同的载流子：空穴和电子在不同的电极电压作用下从电极流向p、n架构。当空穴和电子相遇而产生复合，电子会跌落到较低的能阶，同时以光子的模式释放出能量，即发光。经过多年的发展，目前led能够发出的光已经遍及可见光、红外线及紫外线，光度亦提高到相当高的程度，用途覆盖指示灯，显示板，照明等。
源表，smu(source measure unit)电源/测量单元，“源”为电压源和电流源，“表”为测量表，“源表”即指一种可作为四象限的电压源或电流源提供精确的电压或电流，同时可同步测量电流值或电压值的测量仪表。源表集合电压源、电流源、电压表、电流表的功能于一身，广泛用于各类精密器件的测量。
常用测试参数
led必须在合适的电流电压驱动下才能正常工作。其电压-电流之间的关系称为i-v特性。通过对led电特性的测试，可以获得对应正向电压（vf）、反向电压（vr）及漏电流（ir）等参数，以及相应的i-v曲线。常用的测试方法一般为在led器件的两端，加电压测试电流，或者加电流测试电压。此外，还可以根据客户要求，搭配相应的光学测试系统，测试相应的光学性能。
（典型二极管i-v特性曲线）
（led光电测试系统示意图）
vf正向导通电压测试
正向导通电压，是led在正常工作电流下测量的电压值。当加载在led两端的工作电压，低于导通电压时，通过led的电流极小，不发光。当电压超过该值后，通过led的电流随电压迅速增加，而后led发光。常用测试方法为，将led的正极接在高电位端，负极接在低电位端，逐渐增加led的电流（电流值一般为几ma），并同时测量led两端的电压（电压值范围在几v以内）。而后根据实际测试需要，对数据进行分析，得到相应的vf值。
vr 反向击穿电压测试
反向击穿电压，是所允许加载在led两端的z大反向电压。当二极管两端的反向电压超过vr后，反向电流会急剧增大，二极管将失去单方向导电特性，这种状态称为二极管的击穿。若长时间工作电压超过vr，发光二极管可能被击穿损坏。常用测试方法为，将led的正极接在低电位端，负极接在高电位端，逐渐增加led的电流（电流值一般为几ma），并同时测量led两端的电压（电压值范围在几v以内）。而后根据实际测试需要，对数据进行分析，得到相应的vr值。由于源表可作为四象限工作的电压源，因此，在测试时，无需将接线端反接。源表内部会自动根据设定值，切换输出端的极性。
ir漏电流测试
漏电流，指led处于反向偏置状态时，流过二极管的微弱反向电流。此时，led两端的电压低于vr。常用的测试方法为，将led的正极接在低电位端，负极接在高电位端，而后根据实际测试需要，设定加载在led两端的电压，测量电流ir。
绘制led i-v特性曲线测试
连接
如下图所示，选择合适的夹具，将led与s型源表进行连接
（源表测试连接示意图）
测试步骤
步骤
操作方法
操作界面
选择扫描模式
【主界面】—>【扫描模式】
设置扫描参数
根据实际测试需要，选择并设置相应的参数。比如：【扫描类型】，【限值】，【扫描模式】，【扫描点】等
启动测试
点击【开始扫描】，即可启动测试
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测试数据
待测试完毕后，会自动根据测试结果绘制i-v曲线，并显示在屏幕上。此外，如果选择保存【开始扫描】，也可在插入u盘后，导出测试数据
s型数字源表简介
普赛斯s系列高精度源表，集电压、电流输入输出及测量等多种功能于一体。产品z大输出电压达300v，最小测试电流达100pa，分辨率低至10pa，支持四象限工作，因此,可广泛应用于各种半导体器件i-v电特性测试，如半导体ic，功率半导体器件，传感器，led等。产品具有如下特点：
采用5寸800*480触摸显示屏，全图形化操作，操作简单方便
内置丰富的扫描模式，支持线性扫描、指数扫描及用户自定义扫描
四象限工作模式，可在源模式或肼模式下工作
支持usb存储，一键导出测试报告
兼容多种上位机通讯方式，rs-232、gpib及以太网
可搭配普赛斯自主开发的上位机软件使用，快速实现不同器件的测试
以上是关于led二极管iv测试数字源表的方案介绍，更多有关源表用于led电性能测试的信息找普赛斯仪表专员为您介绍