从cpu到gpu，从内存到显存再到闪存，各种芯片都在搞3d堆叠工艺，而堆叠最狠的，绝对是三星电子的3d v-nand闪存。techinsights最近拆解了三星最新的48层3d v-nand，被其精湛的工艺彻底征服了。拆解对象是三星最新的移动固态硬盘t3 2tb，应用了2015年8月份发布的3d v-nand tlc闪存颗粒，每个晶粒(die)的容量为256gb(32gb)，编号“k9afgy8s0m”。目前，市面上的ssd固态硬盘分为“原厂闪存”和“自主封装测试的闪存”两种。前者品质相当高，当然价位也要高一些；后者虽然比不上原厂闪存但品质还不错，价位稍低些。
这块硬盘pcb的正反面安装了四颗闪存芯片，编号“k9dub8s7m”，每颗容量512gb，内部封装了16个我们想要探索的48层堆叠3d v-nand晶粒。
16颗晶粒相互堆叠以及采用传统线键合技术连接的封装横截面。这些晶粒的厚度只有40微米，是迄今所见封装中最薄的，相比之下三星上代32层堆叠3d v-nand中的晶粒厚度约为110微米。另外，amd r9 fury x显卡所用海力士hbm显存的晶粒厚度约为50微米，三星tsv d4 am晶粒的厚度约为55微米。40微米，可能已经逼近300毫米晶圆无需使用承载晶圆(carrier wafer)所能实现的最薄极限了。
单独的一个256gb晶粒，包括两个59×59毫米的闪存bank，存储密度约为每平方毫米2600mb，而这还是21nm工艺实现的，相比之下三星16nm工艺平面型nand闪存的密度只有每平方毫米740mb。
这是闪存阵列部分的sem(扫描式电子显微镜)横截面，可以看到其中有55个闸极层，包括48个nand单元层、4个虚拟闸极、2个ssl、1个gsl。
这是v-nand顶部的更高倍数放大图
作为对比的三星32层v-nand tem(隧道电子扫描显微镜)横截面
v-nand串联tem平面图，可看到多个环形的分层