密电阻特性:
金属膜密电阻的度较高,但电阻温度系数和分布参数指标略低;绕线密电阻的电阻度和温度系数指标高,而分布参数指标低。金属箔密电阻的度,电阻温度系数和分布参数非常高:度可以达到10-6,温度系数可以达到±0.3×10-6 /℃,分布电容可以小于0.5pf,并且分布电感可以小于0.1μh。由于以上三种密电阻的价格随性能而提高,因此应根据实际应用情况合理选择。例如,在直流或低频ac电路中,通常需要选择绕线密电阻器或金属膜密电阻器,而无需选择昂贵的金属箔密电阻器。
金属膜密电阻器的主体通常是圆柱形的。绕线密电阻为圆柱形,扁平圆柱形和矩形框架形状;金属箔密电阻器通常为正方形或片状。当绕线密电阻的匝数较大时,通常使用感应绕组方法。正向绕组的匝数与反向绕组的匝数相同,以使分布电感小。矩形框形绕线密电阻器通常由设备制造商根据需要定制,并且经常用于仪器中。
旦损坏了仪器中矩形框架绕组的密电阻,可以通过均匀缠绕原始框架来替换材料,直径和长度与原始电阻合金线相同的新型合金电阻线。如果原始矩形框形绕线密电阻器被表面缘层损坏,则只需从框架上取下原始电阻线并重新浸漆(应选择性能优良且价格低廉的1260缘漆) ,然后将其干燥。然后倒回原始矩形框。
密电阻器简称称为密电阻。区分高度电阻器和普通电阻器的主要依据是电阻误差的大小,电阻的大小和温度系数的大小。分类描述如下:对于电阻大于1ω(ohm)的电阻,与标记电阻相比,在电阻的±0.5%范围内的电阻可以称为吉普逊密电阻,更高的度可以达到0.01%的度,这是电子工程师说的度是十分之。这样的电阻器通常是薄膜电阻器。使用这种材料的电阻器通常可以满足生产过程的要求。电阻大于1ω的该系列电阻的度超过±5%。电子产品中常见的类型是5%度电阻,该电阻不在度电阻范围内。电阻小于1ω的电阻器即使在密电阻类别中,通常也可以达到±1%的度,因为电阻值的基数很小,即使误差为1%,实际电阻误差已经很小。更高的度可以在±0.5%以内,但是技术要求和技术要求更高。
什么是密电阻?
制作密合金电阻的材料温度稳定性要高于普通电阻的材料,在定的温度范围内,密合金电阻的误差比普通电阻的误差小很多。如果说普通电阻的误差有1%~5%,而密合金电阻的误差只有0.1%的范围甚至更小。
其次它们价格的差别:密合金电阻采用了温度稳定性更高的合金材料,在生产成本上也就比普通电阻高了许多。
密合金电阻发展趋势越来越被人们关注,在刚刚结束的慕尼黑电子展会,就有非常多行业的密合金电阻产品亮相。
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