硅穿孔工艺设备 产品详情
硅穿孔工艺设备
硅穿孔(tsv,through silicon via)：通过芯片和芯片之间，晶圆和晶圆之间制作垂直导通，实现芯片之间互连的技术。能够使芯片在三维方向堆叠的密度大，芯片之间的互连线短，外形尺寸小，并且大大改善芯片速度和低功耗的性能，使目前电子封装技术中引人注目的新技术。
特点：
1.缩小封装尺寸。
2.高频特性出色，减少传输延时的一种技术。
3.降低芯片功耗，tsv可将硅锗芯片的功耗降低约40%。
4.热膨胀可靠性高。
产品特点：
应用范围：tsv工艺
晶圆尺寸：6英寸，8英寸，12英寸
工艺流程：insulation, barrier,cu seed/fill/prewet, anneal
工艺特型：单晶圆面向上湿法工艺
薄膜沉积：electrografting(eg) and chemicalgrafting(cg) deposition
反应物管路：cds（ chemistry delivery system)
系统参数：单晶圆腔体工艺（手动，半自动）
多腔体工艺（自动）
--efem/foup(robot/pre-aligner)
--transfer robot
--process cell
--control unit
--electric unit
--chemical supply unit
--cds