薄膜集成电路是将整个电路的晶体管、二管、电阻、电容和电感等元件以及它们之间的互连引线，部用厚度在1微米以下的金属、半导体、金属氧化物、多种金属混合相、合金或缘介质薄膜，并通过空蒸发、溅射和电镀等工艺制成的集成电路。薄膜集成电路中的有源器件，即晶体管，有两种材料结构形式：种是薄膜场效应硫化镉或硒化镉晶体管，另种是薄膜热电子放大器。更多的实用化的薄膜集成电路采用混合工艺，即用薄膜技术在玻璃、微晶玻璃、镀釉和抛光氧化铝陶瓷基片上制备无源元件和电路元件间的连线，再将集成电路、晶体管、二管等有源器件的芯片和不使用薄膜工艺制作的功率电阻、大容量的电容器、电感等元件用热压焊接、超声焊接、梁式引线或凸点倒装焊接等方式，就可以组装成块完整的集成电路。
薄膜电阻这概念的使用，与电阻或者电阻率相对，是它直接用四终端感应测量法（也称为四点探针测量法)来测量。薄膜电阻用欧姆/平方来计量，可被应用于将薄膜考虑为个二维实体的二维系统。它与三维系统下所用的电阻率的概念对等。当使用到薄膜电阻词的时候，电流必须沿着薄膜平面流动，而非与其垂直。
薄膜电阻的应用：
　 薄膜电阻的应用广泛，对于任意面积远大于厚度的情形，比如薄膜物理或者半导体产业中，常有纳米厚度的薄膜被沉积到晶片上，如果关心这些薄膜的电阻阻值大小时，就需使用薄膜电阻这概念。例如，在发光二管的制造中，二管pn结上作为电而沉积的金属的阻值很大程度影响了发光二管的发光效率，因此需要小化金属半导体的79483md，利用前面提到的四探针测量法以及传输线模型（transmission line model）测量法，即可确定79483md的大小和金属下方半导体层的薄膜电阻阻值。
电阻有三种基本类型：金属膜电阻、薄膜贴片电阻及厚膜贴片电阻，这三种电阻表面上看起来很相似，并且可能具有类似的采购规格。但实际上，这三种电阻的制造方式均不同。本身固有的设计与处理将大影响电 气性能，因此在安装后，这三种电阻的行为均不相同。当外部及内部温度改变时，这些差异会变得非常明显且至关重要。此外，长期稳定性、湿度及其它环境条件的 影响会随时间推移而产生额外影响。这点应加以考虑，当电路要求对信噪比 (snr) 及脉冲响应来说更加苛刻时更应如此。因此，些所谓的高度电阻在用于电路后结果却达不到人们可能期望的度。要生产具有高度及高稳定性的电阻，重要的 是能够控制温度及环境条件对电阻器件的影响。
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