asml的euv光刻机已经成为7nm以下制程的关键了，三星、台积电、intel都在购买单价高达10亿元的euv光刻机用于生产。除了cpu之外，内存工艺也会逐步导入euv光刻机，三星之后sk海力士也要这么做。
据韩国媒体报道，全球第二大dram内存供应商sk海力士已经在研发1a nm工艺的内存，内部代号“南极星”，具体节点大概在15nm，预计会引入euv光刻机生产。
对内存来说，它跟cpu逻辑工艺一样面临着需要微缩的问题，euv光刻机可以减少多重曝光工艺，提供工艺精度，从而可以减少生产时间、降低成本，并提高性能。
不过内存使用euv工艺问题也不少，首要问题就是euv光刻机售价太高，10亿一台，还要考虑到维护费用，所以初期要承担不小的成本压力。
目前sk海力士最先进的内存工艺主要是1y、1z nm，今年下半年这两种工艺将占到40％的产能比重。
3月初，三星表示，将从第四代10nm级（d1a）dram或高端级14nm级dram开始全面导入euv，明年基于d1a大规模量产ddr5和lpddr5内存芯片，预计会使12英寸晶圆的生产率翻番。