3、技术指标*3.1机台可测试器件类型二极管、mosfet、igbt单管及模组*3.2机台可测igbt项目及测试范围vge(th)栅极阈值电压vces集射极截止电压ices集射极截止电流vce(sat)饱和导通压降iges栅极漏电流vf二极管导通电压可以测5000v，1600a以下的igbt模块*3.3机台可测mos项目vf、vdsat、igss、vgth、bvdss、rds(on)、gfs3.4测试项目测量范围测试条件与精度*3.5 vge(th)栅极阈值电压0.1～10vvge：0.1～10v±1%±0.01v；解析度：0.01v集电极电流ic：10～50ma±1%±0.5ma；50～200ma±1%±1ma；200～1000ma±1%±2ma；
静态及动态测试系统技术规范供货范围一览表序号名称型号单位数量1半导体静态及动态测试系统hustec-2010套11范围本技术规范提出的是限度的要求，香港风力发电用igbt测试仪，并未对所有技术细节作出规定，风力发电用igbt测试仪加工，也未充分引述有关标准和规范的条文，供货方应提供符合工业标准和本技术规范的优质产品。本技术规范所使用的标准如遇与供货方所执行的标准不一致时，应按较高标准执行。
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