近年来，智能手机和其他移动设备的性能有所提高，它们已经迁移到更高的无线频段频率。通常，频率越高，天线与接收电路之间的信号损耗就越大，因此需要具有增强特性的lna，以通过补偿信号损耗来改善接收信号质量。
东芝新开发的tarf11工艺改进了当前soi工艺技术tarf10的射频特性。采用tarf11工艺制造的用于lna的mosfet在8ghz时的最小噪声指数（nf [2]）为0.48db，比tarf10降低0.3db [3]。与tarf10一样，tarf11工艺可以将lna、射频开关和控制电路集成到单个芯片上。
东芝利用其子公司japan semiconductor corporation采用最新的soi-cmos技术研发出射频 ic。东芝可以实施从射频工艺技术研发到设计和制造的全部生产流程，以确保产品快速上市。
东芝将继续推进其先进的tarfsoi™工艺技术，以确保进一步的性能改进，并为wi-fi设备、计划从5ghz扩展到7ghz频段的5g智能手机、以及使用7ghz至10ghz频率的超宽带应用提供射频开关和lna ic。
应用
· 智能手机
· 无线设备，如wi-fi和uwb等
特性
· 优异的噪声系数：:
nf=0.48db（最小值）@8ghz（与tarf10相比，提高了约0.3db）
· lna、射频开关和控制电路可以集成到单个芯片上。
· 集最新的半导体工艺开发和产品开发于一体，可以尽早推出高频开关产品。
主要规格
频率
（ghz） 用于lna的最小mosfet nf
（db）
tarf11 tarf10
8.0 0.48 0.79
6.0 0.44 0.69
4.0 0.40 0.50
注：
[1] tarfsoi（东芝先进射频soi）：tarfsoi是soi-cmos（绝缘体上互补金属氧化物半导体），这是东芝针对射频开关ic和低噪声放大器ic开发的前端处理技术。
[2] nf（噪声系数）：放大电路输入端和输出端的信噪比。较低的值表示较少的噪音和优越的特性。
[3] 在4ghz时提高约0.1db，在6ghz时提高约0.25db。
* wi-fi是wi-fi alliance的注册商标。
* tarfsoi™是东芝电子元件及存储装置株式会社的商标。
* 公司名称、产品名称和服务名称可能是其各自公司的商标。
来源：21dianyuan