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「专利解密」欧司朗光电照明技术新突破

2020/2/5 17:15:21发布92次查看
【嘉德点评】第三代半导体具有禁带宽度宽、熔点高(耐 高温、抗辐射)、击穿场强高耐高压、电子饱和漂移速度快(高频率工作)、热导率高等优点,更适于工作在高温、高压和高频的应用场合。
集微网消息,近日中国国际半导体照明论坛在深圳成功召开,大会以“迎接新挑战 共创新时代”为主题,吸引了来自海内外半导体照明,第三代半导体及相关领域的专家学者、企业领袖的积极参与。
2019年,在全球经济波动的背景下,全球第三代半导体实现了逆势增长,产业进入从导入期向成长期转变的关键时间点,中国第三代半导体也迈入了新阶段,第三代半导体是新一代电子器件,移动通信,光电子应用等的核心材料和关键技术,将引发能源、交通、通讯等诸多领域的颠覆性技术变革,并进一步推动绿色、可持续发展,是未来颇具竞争力的关键。
半导体照明技术作为第三代半导体材料的第一个突破口,将带动相关材料在节能减排、信息技术和军事国防领域取得新的发展。自从2003年科技部启动国家半导体照明工程以来,中国半导体照明产业在有关部门和地方的支持下,从高速发展走向高质量发展转型,向实现产业强国的目标迈进,在此基础上,第三代半导体也得到了迅猛的发展。
在当前的背景下,为了进一步推进半导体照明技术的发展,提升发光半导体的运行效率,欧司朗光电半导体申请了一项名为“发光半导体芯片和光电子组件”的发明专利(申请号:201810869489.4),申请人为欧司朗光电半导体有限公司。
图1
图1是该专利提出的发光半导体芯片100的示意图。发光半导体芯片100具有面状地扩展的衬底101,其在主面104上具有半导体层序列102。在半导体层序列102的背离衬底101的一侧114上含有第一接触部105和第二接触部106。当发光半导体芯片100工作时,可以借助于第一和第二接触部105、106将电压施加到半导体层序列102上,使其发射辐射109。
在芯片运行中流到接触部105、106的电流会有一部分流入透明导电层107中,并且从那里流动至半导体层序列102。层107可以作为电流扩展层,以便尽可能整面地电接触半导体层序列102。
因此,半导体芯片100可以构成体积发射器。而辐射109既在前侧110上通过层107离开半导体芯片100、在后侧111上离开半导体芯片100,也在侧面112上离开半导体芯片100。
图2
图2是该专利提出的光电子组件200示意图。半导体芯片100借助接触部105、106与载体201的印制导线202、203电地和机械地连接。载体201用于承载半导体芯片100和提供用于电接触半导体芯片100的电接口。
另外,在芯片100和印制导线202之间具有一定的间距,该间距205以及印制导线202、203的导热性,可以使转换器206在芯片100和载体201之间充分冷却,有助于增加组件200的使用寿命。
因此,上述模块可以降低金属反射器(也称作为镜)处的反射损失或,进而使组件200能够实现更高的效率。
第三代半导体在新一轮的信息技术发展中至关重要,在发展第三代半导体的过程中,一定要保持开放的心态。而作为第三代半导体材料第一个突破口的照明技术,国内外一些企业已经走在了“照明”的最前沿,希望半导体照明技术可以快速发展,进而促进第三代半导体产业的全面发展。(校对/holly)

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