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浅析全息互动投影的特点：全息投影显示就是利用激光光波的干涉将影像与再现影像记录下来的一种摄影，它与一般的立体照片技术完全不同，我们可以围着它观看各个侧面，只是摸不到真实的物体，其显着的特点和优势有如下几点：1、 再造出来的立体影像有利于保存珍贵的艺术品资料进行收藏。2、 拍摄时每一点都记录在全息片的任何一点上，一旦照片损坏也关系不大。3、 全息照片的景物立体感强，形象逼真，借助激光器可以在各种展览会上进行展示，会得到非常好的效果。关于全息投影技术，我们经常可以在科幻电影中见到一种三维的全息通讯技术，可以把远处的人或物以三维的形式投影在空气之中，就像电影《星球大战》中的场面。另外随着现在科学的发展，所有的设备都采用小型化和精密化，而现在的显示设备却无法与之相匹配，人类越来越需求一种新的显示技术来解决问题。而3d全息投影恰恰充当了这一角色。随着3d全息投影技术的发展，全国各地3d应用都慢慢浮出水面。平时我们观看的3d电影，是采用视觉差做出的视觉效果，而寿恒科技3d全息投影技术则能更完全展示景物、人物和产品全貌，在不久的将来，我们看电影也可以不用佩戴眼镜了。可以看出，无论是360度、270度还是180度全息柜，都能在生活中起到很多展示与宣传作用，以其新颖和独特的视觉效果迅速被市场认可，众多世界巨头已经发现3d全息技术充满了无限商机。
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全息投影技术（front-projected holographic display）也称成像技术是利用干涉和衍射原理记录并再现物体真实的三维图像的技术。全息投影技术不仅可以产生立体的空中幻象，还可以使幻象与表演者产生互动，一起完成表演，产生令人震撼的演出效果。适用范围产品展览、汽车服装发布会、舞台节目、互动、酒吧娱乐、场所互动投影等。
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全息投影技术（front-projected holographic display）也称成像技术是利用干涉和衍射原理记录并再现物体真实的三维图像的记录和再现的技术。其先是利用干涉原理记录物体光波信息，此即拍摄过程：被摄物体在激光辐照下形成漫射式的物光束；另一部分激光作为参考光束射到全息底片上，和物光束叠加产生干涉，把物体光波上各点的位相和振幅转换成在空间上变化的强度，从而利用干涉条纹间的反差和间隔将物体光波的全部信息记录下来。记录着干涉条纹的底片经过显影、定影等处理程序后，便成为一张全息图，或称全息照片。其第二步是利用衍射原理再现物体光波信息，这是成象过程：全息图犹如一个复杂的光栅，在相干激光照射下，一张线性记录的正弦型全息图的衍射光波一般可给出两个象，即原始象（又称初始象）和共轭象。再现的图像立体感强，具有真实的视觉效应。全息图的每一部分都记录了物体上各点的光信息，故原则上它的每一部分都能再现原物的整个图像，通过多次曝光还可以在同一张底片上记录多个不同的图像，而且能互不干扰地分别显示出来。
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氧化铟锡(ito)基板前处理(1) ito表面平整度：ito已广泛应用在商业化的显示器面板制造，其具有高透射率、低电阻率及高功函数等优点。一般而言，利用射频溅镀法(rf sputtering)所制造的ito，易受工艺控制因素不良而导致表面不平整，进而产生表面的尖端物质或突起物。另外高温锻烧及再结晶的过程亦会产生表面约10 ~ 30nm的突起层。这些不平整层的细粒之间所形成的路径会提供空穴直接射向阴极的机会，而这些错综复杂的路径会使漏电流增加。一般有三个方法可以解决这表面层的影响?u一是增加空穴注入层及空穴传输层的厚度以降低漏电流，此方法多用于pled及空穴层较厚的oled(~200nm)。二是将ito玻璃再处理，使表面光滑。三是使用其它镀膜方法使表面平整度更好。(2) ito功函数的增加：当空穴由ito注入hil时，过大的位能差会产生萧基能障，使得空穴不易注入，因此如何降低ito / hil接口的位能差则成为ito前处理的重点。一般我们使用o2-plasma方式增加ito中氧原子的饱和度，以达到增加功函数之目的。ito经o2-plasma处理后功函数可由原先之4.8ev提升至5.2ev，与hil的功函数已非常接近。加入辅助电极，由于oled为电流驱动组件，当外部线路过长或过细时，于外部电路将会造成严重之电压梯度，使真正落于oled组件之电压下降，导致面板发光强度减少。由于ito电阻过大(10 ohm / square)，易造成不必要之外部功率消耗，增加一辅助电极以降低电压梯度成了增加发光效率、减少驱动电压的快捷方式。铬(cr：chromium)金属是常被用作辅助电极的材料，它具有对环境因子稳定性佳及对蚀刻液有较大的选择性等优点。然而它的电阻值在膜层为100nm时为2 ohm / square，在某些应用时仍属过大，因此在相同厚度时拥有较低电阻值的铝(al：aluminum)金属(0.2 ohm / square)则成为辅助电极另一较佳选择。但是，铝金属的高活性也使其有信赖性方面之问题因此，多叠层之辅助金属则被提出，如：cr / al / cr或mo / al / mo，然而此类工艺增加复杂度及成本，故辅助电极材料的选择成为oled工艺中的重点之一。
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