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制造商:cree, inc.； 产品种类:射频金属氧化物半导体场效应(rf mosfet)晶体管； rohs:详细信息； 晶体管极性:dual n-channel； 技术:si； vds-漏源极击穿电压:65 v； rds on-漏源导通电阻:60 mohms； 增益:16.5 db； 输出功率:320 w； 大工作温度:+ 225 c； 安装风格:smd/smt； 封装 / 箱体:h-37275g-6/2； 封装:reel； 工作频率:2110 mhz to 2200 mhz； 类型:rf power mosfet； 商标:wolfspeed / cree； 通道数量:2 channel； 产品类型:rf mosfet transistors； 工厂包装数量:250； 子类别:mosfets； vgs - 栅极-源极电压:10 v
英飞凌（infineon）宣布以8.5亿美元收购科锐（cree）旗下wolfspeed的全部资产，包括其基于碳化硅（sic）的功率解决方案与碳化硅基氮化镓（gan on sic）的射频功率解决方案，制造碳化硅衬底的核心技术，近2000项与550名员工。用英飞凌首席执行官reinhard ploss的话说就是：“收购wolfspeed以后，我们将成为全球大的碳化硅功率半导体厂商，在射频功率领域我们也有机会争。”
wolfspeed作为科锐宽禁带（wide bandgap）半导体产品部门已经有将近三十年的历史，主要从事碳化硅、氮化镓（gan）等宽禁带半导体材料的技术研究与制造生产。2015年9月科锐宣布准备将wolfspeed拆分出来独立上市，但是1月份又宣布上市计划推迟，如今干脆将其卖给了英飞凌。
碳化硅和氮化镓等宽禁带半导体是国防军工、大功率工业设备与毫米波通信等产业的核心。相比硅和砷化镓（gaas）等材料，碳化硅和氮化镓等宽禁带材料击穿电场强度大、饱和电子迁移率高、热稳定性好、介电常数小、抗辐射能力强等特点，能够大幅提升电子器件在高压、高频、高功率环境下的性能，在工业、军事、新能源、电动汽车等领域应用前景巨大。
以碳化硅为例，碳化硅的击穿电场强度是传统硅器件的9倍多，使用碳化硅工艺生产的功率器件导通电阻更低，芯片尺寸更小。此外相比普通硅功率器件，碳化硅器件的工 作频率更高，也能够耐受更高的环境温度。在高压功率市场，碳化硅器件简直是igbt的完美替代者，但是为何到目前为止，igbt仍然占据主流应用呢？
答案就是成本。据rohm半 导体分立器件部水原德健曾介绍，在2015年，同一规格的产品，碳化硅器件的价格是原有硅器件的5至6倍。这么高的价格自然阻碍了碳化硅功率器件的应 用推广，用户只有在对性能与可靠性要求极为严苛时，才会考虑使用碳化硅产品。2014年全球硅功率器件市场规模大约为100亿美元左右，但是碳化硅功率器 件市场则仅有1.2亿美元。
碳化硅的高成本主要是因为碳化硅材料较传统硅材料硬度高很多，因此在生成晶体 的时候就容易出现缺陷，此外过硬也会导致生成晶体的速度变得很慢，晶圆的尺寸也做不大，现在只能做到6英寸，还有一些采用4英寸晶圆生产。合格率低与生产速度慢，所以碳化硅的价格相比igbt工艺高太多。
虽然宽禁带半导体性能出色，但由于生产技术进展缓慢，成本高昂，所以市场增速不够理想，这或许是科锐卖掉wolfspeed的大原因。
cmpa5585025f 该器件采用小型封装，可减小晶体管尺寸与重量，降低热管理的成本，从而实现出色的线性效率（比传统解决方案高 60%）。此外，该器件运行时需要的工作电压（28 伏特）大于 gaas mesfet（12 伏特），因此晶体管还支持更低流耗，可降低功率分布损耗，实现更高的整体系统效率。
wolfspeed位于美国北卡罗来纳州三角研究园，过去近三十年来一直属于cree公司，是碳化硅功率器件和碳化硅基氮化镓射频功率解决方案的主要供应商之一。其核心竞争力包括碳化硅晶圆衬造，以及面向射频功率器件、包含单晶氮化镓层的碳化硅晶圆衬造。这些核心竞争力，加上超过500名技术精湛的员工，以及囊括大约2000项已经授予或正在申请的的强大知识产权组合，能够与英飞凌2015年初收购国际整流器公司所获得的技术和资源形成良好互补。wolfspeed基于碳化硅的产品组合是英飞凌产品组合的理想补充。
基于化合物半导体技术的功率管理解决方案具备多重优势，能够让英飞凌的客户开发出能效更高、面积更小、成本更低的系统。结合两家公司丰富的技术、产品组合和制造能力，英飞凌和wolfspeed可以加快相关组件的开发进程，帮助客户开发出差异化系统。可以受益于碳化硅技术的主要应用领域包括可再生能源和汽车电子。这两个应用领域均可受益于更高的功率密度和能源效率。在汽车电子应用领域，它很好地顺应近期迅速发展的插电式混合动力汽车和纯电动汽车（xev）的趋势。组合两家企业和产品技术组合和核心竞争力，可大大加快基于化合物半导体技术的新产品的上市速度。
诸如5g等新一代蜂窝基础设施制式将采用高达80 ghz的频率。只有先进的化合物半导体器件能够在如此之高的频率下实现所需的效率。硅基氮化镓器件支持更高的组件集成度，在高达10 ghz的工作频率下具备明显优势。碳化硅基氮化镓器件可以在高达80 ghz的频率下实现大效率。两种技术对于新一代蜂窝基础设施制式均十分重要。结合自身的硅基ldmos产品，在收购wolfspeed之后，英飞凌将成为业界广博的射频功率组件供应商。
cgh40045f-tb漏级偏置电路采用对称设计，主要分析原因在于降低偏置网络阻抗，提高视频带宽vbw，从而减小功放管的电记忆效应。
当功放管在数字预失真方案中，减小记忆效应对功放的影响显的尤为重要，偏置电路是记忆效应的一个重要来源，现实中，功率管的漏极到电源之间的电路阻抗（video impedance）在低频（vbw 10mhz）时并非为0，该阻抗的存在使得加载到功率管漏极的电压并非是个恒定值，而是随着功放输入信号变化。
2019年5月15日，美国北卡罗莱纳州达勒姆讯 –– cree, inc. (nasdaq: cree) 宣布，作为sic（碳化硅）半导体的全球引领者，成为大众汽车集团（volkswagen group）fast（future automotive supply tracks，未来汽车供应链）项目sic（碳化硅）合作伙伴。fast的目标旨在推进共同合作，比以往更为快速地实施技术创新，并且更有效率地、更有效果地实现全球汽车项目。
大众汽车集团采购负责人michael baecker先生表示：“大众汽车集团计划在未来10年发布近70款新电动车型，而此前只是计划50款。预计在未来10年，基于大众汽车集团电动汽车平台生产的汽车数量将从1500万辆增加至2200万辆。一个有效的（产业生态）网络是我们取得成功的关键。我们的fast合作伙伴都是我们的战略伙伴，每个合作伙伴都是其各自领域的佼佼者。我们希望一起塑造汽车的未来。”
这项协议将两场同时进行的产业变革联结在了一起：汽车产业正在经历从内燃机向ev电动汽车的转型；而在半导体产业，sic（碳化硅）的采用正在不断增长。这项协议同时也将推动双方的创新，有助于大众汽车集团更好地服务他们的客户。
sic（碳化硅）的采用将加速汽车产业向ev电动汽车的转型，帮助实现更高的系统效率，从而为ev电动汽车带来更长的行驶里程、更快的充电，同时降低成本、降低重量和节约空间。
cree首席执行官gregg lowe先生表示：“cree技术正处于ev电动汽车这场巨大变革的核心。我们全力支持汽车产业朝着更高效率和采用更高性能sic（碳化硅）基解决方案的转变。我们非常荣幸地与大众汽车集团达成合作。大众汽车集团是全球汽车领域的重要力量，并坚定地致力于ev电动汽车。此次合作将充分发挥sic（碳化硅）的优势，帮助实现更长的行驶里程、更短的充电时间、更高的效率。我们期望能够助力大众汽车集团，推出满足未来的汽车。”
大众汽车集团和cree将构建一级（tier one）紧密合作，通过功率模块供应，为未来的大众汽车集团汽车提供sic（碳化硅）基解决方案。该项合作于2019年5月10日正式缔结和宣布。在不久之前的5月7日，cree宣布将大幅提高sic（碳化硅）mosfet和晶圆的产能，以支持客户发展。
cghv50200f和cghv96050f1晶体管的工作电压均为40v，源漏电压分别为125v和100v，较大的工作电压和源漏电压使得器件可以适用于中等电压的工作环境中。栅源电压范围为2v至10v和-10v至+2v，较低的栅源电压即可驱动晶体管。当器件处于25℃环境中时，其大栅极电流为41.6ma/14.4ma，漏极电流为17a和6a。
x-波段的产品系列包括4个新的ganhemt晶体管，两个卫星通信（cghv96050f1和cgh96100f1）和两个商业雷达的应用（cghv96050f2和cghv96100f2）。所有四个晶体管提供小尺寸封装（0.9×0.7“）。
和效率高的优点，在使用这些新的gan器件多可到三倍更大时相比，可用的gaas mesfet晶体管。另外，视频带宽宽的gan hemt晶体管允许在多载波应用中的使用与双音间距高达70mhz。
完全匹配的gan hemt晶体管补充以前发布的包装mmic产品，指定的cmpa5585025f和cmpa801b025f，也可作为驱动的cghv96050或cghv96100。
全球sic晶圆市场规模约为8千多亿美元，sic晶圆与gan on sic磊晶技术大厂cree为求强化自身功率及射频元件研发能力，决议2019年5月于美国总部北卡罗莱纳州特勒姆市，扩建1座先进自动化8寸sic晶圆生产工厂与1座材料超级工厂(mega factory)，期望借此扩建案，提升cree在sic晶圆上的生产尺寸与提升晶圆使用市占，并提供gan on sic先进磊晶技术进一步应用于功率及射频元件中。
以led材料与元件起家的cree，近年将研发方向集中于功率及射频元件领域的理由，可从其与infineon的并购案渊源说起。原先cree旗下以功率及射频元件为主力的wolfspeed事业部因本身经营策略，已规划于2016年7月公告出售该部门至infineon功率半导体事业体，期望借由此次并购案，使infineon成为车用sic元件上的霸主；但事情发展并非如此顺利，2017年2月出售案经美国外资投资会(cfius)评估后，以可能涉及军事管制技术原因决议禁止该并购案，迫使cree需重新思考因应策略及经营方针。
此后cree于2018年2月及3月时，提出与infineon的sic晶圆长期供货协议，并向infineon收购其射频功率半导体事业部，试图解决美国外资投资会出售禁令的损失，保持与infineon之合作关系。
2019年5月cree又提出扩厂计划，说明其已将开发重心逐渐转回功率及射频元件领域上，持续投入8寸sic晶圆生成技术的提升，藉此拉抬sic元件于车用、工业及消费型电子领域之市占空间。
各厂于gan on sic磊晶技术之目标市场皆不同，后续发展仍需持续观察
现行gan on sic磊晶技术主要集中于cree手中，cree拥有大sic晶圆市占率(超过5成以上)；根据网站资料，目前使用的sic基板尺寸大可达6寸，主要应用于功率半导体的车用、工业及消费型电子元件中，少量使用于通讯射频领域上；未来扩厂计划完工后，预期可见8寸sic基板应用于相关功率及射频元件制造。
另外，cree在gan on sic磊晶技术领域的竞争对手为ntt at(日本电信电话先进技术)，其使用的sic基板大尺寸为4寸，借由后续磊晶成长如algan(或inalgan)缓冲层后，形成hemt(高电子移动率晶体晶体管)结构，目标开发高频通讯功率元件。
因此现阶段gan on sic磊晶技术之应用情形，各家厂商瞄准的目标市场皆不同，该技术仍处于发展阶段，有待后续持续关注。
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