三星这条样品属于udimm类型，容量为2gb，运行电压只有1.2v，工作频率为2133mhz，而且凭借新的电路架构可以达到3200mhz。相比之下，ddr3内存的标准频率仅为1600mhz，运行电压一般为1.5v，节能版也有1.35v。仅此一点，ddr4内存就可以节能最多40%。根据此前的规划，ddr4内存频率就可能高达4266mhz，电压则有可能降至1.1v乃至1.05v。三星表示，这条ddr4内存使用了曾出现在高端显存颗粒上的“pseudoopendrain”(虚拟开漏极)技术，在读取、写入数据的时候漏电率只有ddr3内存的一半。2010年12月底已经向一家控制器制造商提供了这种ddr4内存条的样品进行测试，并计划与多家内存厂商密切合作，帮助jedec组织在2011年下半年完成ddr4标准规范的制定工作，预计2012年开始投入商用。