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射频MOSFET管:DE150-201N09A IXYS
2019/11/19 19:10:08发布
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制造商:ixys
配置:single
晶体管极性:n-channel
频率:1 mhz to 100 mhz
汲极/源极击穿电压:200 v
漏极连续电流:15 a
闸/源击穿电压:+/- 20 v
最大工作温度:+ 125 c
封装 / 箱体:de475
安装风格:smd/smt
功率耗散:3.5 w
深圳市新亚飞鹅电子经营部
13691683791
中国 深圳
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