最早应用半导体p-n结发光原理制成的led光源问世于20世纪60年代初。当时所用的材料是gaasp，发红光（λp=650nm），在驱动电流为20毫安时，光通量只有千分之几个流明，相应的光视效能约0.1流明/瓦。
70年代中期，引入元素in和n，使led产生绿光（λp=555nm），黄光（λp=590nm）和橙光（λp=610nm），光视效能也提高到1流明/瓦。
到了80年代初，出现了gaalas的led光源，使得红色led的光视效能达到10流明/瓦。
对于一般照明而言，人们更需要白色的光源。1998年发白光的led开发成功。这种led是将gan芯片和钇铝石榴石（yag）封装在一起做成。gan芯片发蓝光（λp=465nm，wd=30nm），高温烧结制成的含ce3+的yag荧光粉受此蓝光激发后发出黄色光射，峰值550nled灯m。蓝光led基片安装在碗形反射腔中，覆盖以混有yag的树脂薄层，约200-500nm。 led基片发出的蓝光部分被荧光粉吸收，另一部分蓝光与荧光粉发出的黄光混合，可以得到白光。