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IRLL014NPBFMOSFET

2019/10/30 10:57:49发布115次查看ip:116.30.223.168发布人:pawpaw
55V漏源电压,FET晶体管,IRLL014NPBF
IRLL014NPBFMOSFET N-CH 55V 2A SOT223
制造商:Infineon Technologies
制造商零件编号:IRLL014NTRPBF
描述:MOSFET N-CH 55V 2A SOT223
对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况:无铅/符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
详细描述:表面贴装-N-沟道-pval-2068-2A(Ta)-1W(Ta)-SOT-223
零件状态:在售
类别:分立半导体产品
产品族:晶体管 - FET,MOSFET - 单
系列:HEXFET
规格
FET 类型:【N 沟道】
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):【55V】
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):【2A(Ta)】
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):【4V,10V】
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):【140 毫欧 @ 2A,10V】
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):【2V @ 250μA】
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):【14nC @ 10V】
Vgs(最大值):【±16V】
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):【230pF @ 25V】
功率耗散(最大值):【1W(Ta)】
工作温度:【-55°C ~ 150°C(TJ)】
安装类型:表面贴装
封装/外壳:【TO-261-4,TO-261AA】

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