dram的先驱之一:英特尔
翻开半导体行业发展史,英特尔实际上是dram的先驱之一。1970年10月,英特尔发布了第一款划时代的量产dram——i1103 1kb内存芯片,真正使dram的生产达到经济规模,dram产业史由此开始。
1970年英特尔(intel)3英寸晶圆厂生成的的i1103是第一款划时代的量产dram,真正使dram的生产达到经济规模,使得每bit存储降到1美分。i1103只有1k容量,是今天内存容量的百万分之一。
在1969年推出的首款静态ram(sram)“ 1101”产品中,英特尔将充当半导体开关的晶体管数量减少到六分之一。由于更高的集成度和更低的制造成本,英特尔垄断了dram市场。
但是英特尔在dram市场的霸主地位并没有持续多久。这是由于1972年日本公司的突袭。日本电气(nec)、富士通和精工(seiko)等日本巨头已经开始进入半导体市场,以及游戏机市场崩盘,导致内存严重过剩,使得行业利润降至冰点。英特尔对对手的低价攻势感到震惊,并通过重组内存业务,退出dram领域。
大约20年后的1988年,英特尔再次进入nand闪存业务。到2000年初三星在nand闪存技术领域处于领先地位,英特尔的影响力已微不足道,因为三星电子通过垂直堆叠制程nand闪存的v nand技术在市场中具有压倒性优势。
两次落败之后,英特尔推出了领先的技术optane memory,再次进军nand闪存市场。
英特尔已经宣布,它将使用十年来开发的optane memory技术来打造一个全新的内存概念。optane dc永久内存dimm是今年使用该技术推出的第一款产品。
信息和容量的爆炸性增长对dram需求正在急剧增加。optane memory具有存储信息、速度和价格竞争力,最大容量为512gb(千兆字节),是64gb通用dram容量的8倍。
海力士开发第三代10纳米ddr4 dram
韩国半导体大厂sk海力士宣布,推出搭载10纳米级制程(1znm) 的16gb ddr4 dram,每个晶圆的总储存容量是现有dram中最大的,海力士预计于明年开始量产。这款实现了单一芯片标准内业界最大容量的16gb,在一张晶圆中能生产的存储量也是现存的dram内最大。
于第二代1y产品相比,该产品的生产效率提高了27%,并且可以在不适用超高价的euv(极紫外光刻)曝光工艺的情况下进行生产,结果具有成本竞争力。该款1z纳米 dram还稳定支持最高3200mbps的数据传输速率,这是ddr4规格内最高速度。功耗也显着提高,与基于第二代8gb产品的相同容量模组相比,将功耗降低了约40%。
特别是,第三代产品适用前一代生产工艺中从来没使用过的新材料,将dram操作的关键要素静电容量最大化。此外,还引进了新的设计技术,提高了动作稳定性。
而主要的竞争对手三星电子(samsung electronics)早在2019年3月开发出的1z nm奈米的8gbddr4产品。16gb裸晶封装成颗粒即为单颗2gb容量芯片,电路板双面满上16gb 颗,就能构成32gb容量模组。
同去年底,samsung率先发布的16gb产品,而另一要角micron是在今年夏天发布,并且和sk hynix一样是1z nm世代产物。
三星与英特尔在内存市场展开激烈竞争
8月,三星宣布了dram模块将与amd的第二代服务器cpu epic一起提供。该策略是通过高达256gb的超高容量服务器内存来吸引客户。
三星电子执行董事说:“三星正在与amd紧密合作,开发用于下一代服务器的最新处理器、内存和存储产品。”
三星的战略是与对手保持制造技术的差距。三星电子最近通过已开发出世界上第一个12层3d-tsv(直通硅通孔)技术dram模块来增强其技术优势,这种封装技术可以在保持产品体积的同时保持高带宽存储器(hbm)容量。明年,三星计划在dram的某些层上引入euv工艺,这是一种超精细工艺。