1、迷你型普克尔盒
通过简化连接器设计与结构优化，leysop设计出了适用于oem激光设备制造的迷你型型普克尔盒。这类电光q开关采用了极小的25mm外径设计，与现行激光结构设计完全兼容。如果需要，我们还能提供特制的端盖与配套的波片和偏振片。
技术参数：
型号
em510c
通光孔径
8mm
波长
1047-1064nm
半波电压@ 1064nm
approximately 6.2 kv static, 7.5kv dynamic
最大电压
8kv
上升时间
< 1.0 ns
对比度
> 1000:1
电容
< ~5 pf
损伤阈值
600 mw/cm2
损耗
4%
尺寸
直径25mm , 长43mm
2、标准型普克尔盒
em500系列标准型的纵向模式kd*p普克尔盒广泛应用于激光调q系统。其中所有的晶体都被精心挑选，以期达到最低的光学损耗并能承受尽可能高的光功率。这款普克尔盒适用的波长范围是0.3~1.3um，并可根据客户要求进行镀膜。严密的金属盒接地设计与能承受功率的接口设计使得这款器件能够适用于开放的环境当中。
型号
em508
em510
em512
em565
通光孔径
8mm
10mm
12mm
16mm
波长
0.3-1.2µm
0.3-1.2µm
0.3-1.2µm
0.3-1.2µm
半波电压@ 1064nm
6.0kv
6.0kv
6.2kv
6.3kv
最大电压
10kv
10kv
10kv
10kv
上升时间
< 0.25ns
< 0.25ns
< 0.25ns
< 0.3ns
对比度
> 1000:1
> 1000:1
> 1000:1
> 1000:1
晶体长度
20mm
25mm
25mm
30mm
电容
15pf
15pf
15pf
20pf
损伤阈值
600mw/cm2
600mw/cm2
600mw/cm2
600mw/cm2
损耗
4%
4%
4%
4%
接口
h.v.bnc
h.v.bnc
h.v.bnc
h.v.bnc
尺寸
50mm dia.
50mm long
50mm dia.
55mm long
50mm dia.
55m long
60mm dia.
70mm long
3、紧凑型普克尔盒
通过简化连接器设计与结构优化，leysop设计出了适用于oem激光设备制造的紧凑型普克尔盒。这类电光q开关采用了工业标准的35mm外径设计，与现行激光结构设计完全兼容。如果需要，我们还能提供特制的端盖与配套的波片和偏振片。 目前，我们能提供通光孔径为8mm、10mm和12mm的器件。此外，我们还提供双晶体紧凑型普克尔盒。在其中使用了两块晶体，这两块晶体从光学方向上看是先后排列，但在电压方向上看却是平行安装。因此与单块晶体相比，这样的普克尔盒仅需要提供一半的开关电压即可工作。
技术参数：
型号
em508m, em510m , m512m
通光孔径
8mm, 10mm or 12mm
波长
0.3 - 1.2µm
半波电压@ 1064nm
静态 6.0 kv , 动态7.2kv
最大电压
10kv
上升时间
< 1.0 ns
对比度
> 1000:1
电容
< 5 pf
损伤阈值
600 mw/cm2
损耗
4%
尺寸
直径35mm, 42mm(长度)
4、kd*p普克尔盒
em500系列标准型的纵向模式kd*p普克尔盒广泛应用于激光调q系统。其中所有的晶体都被精心挑选，以期达到最低的光学损耗并能承受尽可能高的光功率。这款普克尔盒适用的波长范围是0.3~1.3um，并可根据客户要求进行镀膜。严密的金属盒接地设计与能承受功率的接口设计使得这款器件能够适用于开放的环境当中。
技术参数：
型号
em500
透射率＠ 1064nm
>98.5%
通光孔径
3, 4,6mm
半波电压@ 1064nm
1,000v, 1,300v and 2,000v
对比度
>20db
接收角
>1°
抗损伤阈值
>600mw/cm2 at 1064nm (t = 10ns)
尺寸
35mmæ, 45mm 长
5、rtp高调制频率电光q开关（100khz）
rtp材料应用于电光q开关是一项创造性的发明。rtp普克尔盒主要针对为实现高重复频率的激光系统而设计。入射光无论是沿x轴方向还是y轴方向，rtp都具有很高的电光效率。通常3mm通光孔径的bbo对1064nm激光的半波电压为~6.5kv. 而相同大小rtp的半波电压仅为1300v.这意味着rtp的能耗仅为bbo的十分之一。 同时，rtp对于400nm到4um波长的光都具有良好的透过率，这一特性对于腔内激光器的运作具有重要的意义。
技术参数：
型号
rtp168
透射率＠ 1064nm
>98.5%
通光孔径
3, 4 and 6mm
半波电压@ 1064nm
1,000v, 1,300v and 2,000v
对比度
>20db
接收角
>1°
抗损伤阈值
>600mw/cm2 at 1064nm (t = 10ns)
尺寸
35mmæ, 45mm long
6、双晶体普克尔盒
在横向模式的普克尔盒中，半波电压通常取决与电极之间长宽之比。与此不同，纵向模式的半波电压由波长确定的，随晶体结构变化很微弱。这就导致了在大多数应用中需要加载很高的电压（如对于1064nm, 半波电压超过6kv）。当然，在某些领域我们可以采用横向模式器件来解决这个问题。然而，对于大多数情况， 只有纵向模式器件能够提供合适的光学性能，比如在需要更高消光比的领域。针对此问题，我们设计了双晶体普克尔盒，这样的组合器件以加倍负载电容为代价，将需要的驱动电压降低了一半。
技术参数：
型号
dtp888
通光孔径
8mm
波长
0.3-1.2µm
半波电压@ 1064nm
3.0kv
最大电压
5kv
上升时间
< 0.25ns
对比度
> 600:1
电容
30pf
损伤阈值
600mw/cm2
损耗
7%
接口
h.v.bnc
尺寸
50mm dia.
72mm long
7、三电极普克尔盒
在某些专业领域，如pulse picking, pulse slicing的应用，三电极普克尔盒具有很大的优势。这些高效率的\'back-to-back\'普克尔盒能够独立工作，并对透过的光束进行准确、灵活的开关。
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