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免费提供国劲电子档紧固件技术手册，四项免费愿能为您带来可观的效益。3结语在进行的再制定和探究中，务必要把握加强各个部门协调合作的效能。作为一个迅猛发展的第三产业性质行业，其发展的出发点和终端即是广大受众的需求，而要广大受众的需求，一是需要广大的业务人员积极的深入受众群体了解信息，二是要求业务人员将受众的意见或者建议及时的反映给策划部门，策划部门进行会议探讨制定之后，反映给层，层对于策划意见进行修缮评价终交予技术部门予以新功能和新模块的设计制作，终投向市场赢得更多受众的青睐，实现的良性循环。因而从整个的中不难发现要的竞争实力，加强各个部门之间的紧密是至关重要的，也只有真正的建立起统一团结科学的新秩序，才能够在日益激烈的互联市场，占据优势的地位，自己的技术业务水平，从而在新的市场中谋求更大经济利益，只有建立长期具有远瞻性的发展规划，才能长久的促进功能的贴心和，更多的市场受众。
astm a453/a453m gr.660a、660b 660c 660d 目前主要为客户提供的产品有：12.9合金钢螺丝、10.9级螺丝、8.8级螺丝、内六角螺丝、外六角螺栓、双头螺柱及螺柱、机米螺丝、喉塞（油堵）、螺母、垫圈、组合螺丝、自攻螺丝、种防松锁紧螺帽、不锈钢螺丝、高温合金、镍基合金、耐蚀合金、精金、超级奥氏体不锈钢、双相不锈钢等）以及不锈钢螺栓螺母、法兰、锻件、圆钢、钢管、钢带、板材等非标定制。现今我国有金属矿产资源，相较于发达，其利用率低过10个百分点~15个百分点，仅为60%，而共伴生矿的综合利用率仅为30%~50%，仅是发达的50%。根据相关测算，预计至2020年，我国有金属的生产能力：铝的产量为600w吨~700w吨、铜的产量近80w吨、铅的产量在82w吨~90w吨之间、锌的产量为180w吨~200w吨。届时，国内有金属的需求量为：1300w吨~1500w吨的铝、250w吨~280w吨的铅、640w吨至690w吨的铜、400w吨~500w吨的锌。由此可见，我国仅靠一次资源，其供应存在巨大缺口，而国内有矿产的资源储备量明显不足，同时资源相对较低并有效的利用，从而极大的制约了我国有金属材料产业的可发展。
发达，由于其业化起步时间早并趋于完善，相较于我国而言，其各种有金属的储备量较大、废旧淘汰率较高。因此，我国首先应加强有金属资源的勘探力度与能力，挖掘潜在存量。此外，还需构建有金属资源、再生，从而为资源的再展提供支持。2.2贯彻、落实减量化原则循环经济的“减量化”原则，其要求进入生产的量，从源头节约资源和污染物排放。具体要求投入较少的原料和能源达到既定的生产目的或消费目的，从而在经济活动的源头就注意节约资源和污染。企业可以通过技术改造、原料和能源结构、采用先进的生产艺、自动化程度以及加强创新和制度建设等来单位产品生产的原料使用量，以达到节约资源和废弃物排放的目的。2.强化产业创新我国的材料应用企业一般规模不大。而企业作为加应用技术研究、研发投入的主体，单个企业投入研究可能负担较重，因此同类应用企业和加装备制造企业应当起来形成产业联盟，如以股份制形式共同出资投入组建研究团队，形成共有共享的技术，从而促进产业的发展着碳化硅晶体的不断,对碳化硅(sic)基半导体器件已开始大量研究[1-2].由于sic晶体具有很强的共价键,高温扩散或离子注入等制备器件功能层都存在很大的局限性[3].而通过化学气相外延(cvd)同质外延一层结晶高,掺杂可控的功能层是目前进行器件制备的一个重要途径[4-6].早期的碳化硅同质外延使用(0001)正角衬底,很难避免3c-sic多晶的产生.而通过采用偏离(0001)面一定角度的衬底,利用台阶侧向生长的可以实现晶型的延续,即使在较低的生长温度下也可高结晶的sic同质外延膜[6].碳化硅同质外延常用的cvd设备主要有常压冷壁和低压热壁两种类型[7].常压冷壁cvd具有设备相对简单,外延膜掺杂更易控制等优点,适合生长微电子器件所需的优质掺杂控制的薄膜,但是由于热解效率低等因素,常压冷壁cvd的外延膜生长速率一般较低,通常在2~3μm/h.为了在常压冷壁cvd设备上实现外延膜的优质高速生长,本研究使用自制常压冷壁cvd设备,在1400℃下进行4-sic外延膜生长研究.1实验1.1碳化硅同质外延膜的制备实验使用的是cree公司生长的8°偏向的4-sic晶片.晶片经过、v(n4o):v(2o2):v(2o)=1:1:5清洗后,在10%f中浸泡5min.每步清洗后均用去离子水漂洗,后用高纯n2吹干后立刻放入cvd反应进行生长.生长分为两步:首先在1300℃进行原位腐蚀处理;之后升温至1400℃并通入源气体进行外延生长.具体的生长艺条件见图1,原位处理采用2/cl,生长的气源为2si4c38.通过改变丙的流量控制生长中的碳硅(c/si).部分高生长速率样品在生长初始阶段先以高c/si(2.5~4.0)、低生长速率生长一层200nm左右的界面过渡层,再逐渐过渡到正常生长.1.2生长后的外延膜通过光学显微镜观察表面形貌.通过raman光谱并辅以ko腐蚀结果确认晶型.通过断面sem计算外延膜的生长速率.通过ko腐蚀研究外延膜中的晶体缺陷.2结果与讨论2.1外延膜的晶型表征生长完成后,首先进行了raman表征以确定1400℃生长时外延膜的晶型.如图2所示,对外延膜和衬底的raman光谱可以看出,即使在1400℃的低生长温度下,外延膜仍很好的延续衬底晶型.需要注意的是,在实验样品中折叠纵光学(flo)模出现在980cm1,与理论上的964cm1有一定差别.kitamura等[8]研究发现,晶体的掺杂浓度会明显改变flo的位置.根据他们实验的结果,980cm1对应的杂质浓度约~1018cm3,这与本实验通过霍尔(all)对样品的结果相吻合.因为3c-sic的折叠横光学(fto)模出现的位置与4-sicfto模x(0)位置相同,都为796cm1.为此对外延膜进行了进一步的ko腐蚀实验.根据文献[9],外延膜中的3c-sic多晶会出现三角形的腐蚀坑,而在本实验中,只出现了六方和椭圆形腐蚀坑.因此,可以确认即使是在1400℃的低生长温度下,4-sic同质外延仍能结晶性非常好的单晶外延膜.2.2生长速率由于外延膜与衬底的掺杂性质不同,在sem下会呈现明显不同的衬度,因此可以通过断面sem准确地测出外延膜的厚度,如图3(a)插图所示.通过这种,可以不同si4流量以及不同c/si条件下外延膜的生长速率.图3(a)是不同si4流量时的生长速率关系图,从图中可以看出,生长速率与si4流量的关系可以分为两个区域.在区域ⅰ,生长速率随si4流量而线性.在这个区域,内反应处于非饱和状态,因此生长速率由反应物的输运控制,与源气体的流量呈明显的线性关系.在区域ⅱ,生长速率已达到的饱和值,si4流量并不生长速率.对于本实验设备,在1400℃条件下饱和生长速率约在6μm/h左右.图3(b)是si4流量保持为0.8sccm,改变c38流量的不同c/si的生长速率图,从中可以看出,在c/si1.5时,生长速率达到饱和状态,反应受si4流量,再c38流量并不能生长速率.由于在生长温度下si4和c38的裂解效率不同,因此饱和生长速率对应的c/si一般都大于1.2.3表面形貌缺陷利用光学显微镜研究了外延膜表面的形貌缺陷.外延膜表面出现的典型缺陷为图4(a)所示的三角形缺陷.图4(a)中内嵌插图为三角形缺陷的sem照片,从图中可以看出,三角形缺陷在表面凹陷,沿生长方向,在台阶流上方的顶点处深,其对应的底边通常与台阶流方向(即方向)垂直.图4(a)~(d)为不同生长速率时外延膜的表面形貌光学照片.在低的生长速度下外延膜表面缺陷较少,随着生长速率的,外延膜表面的缺陷密度迅速.当生长速率达到6μm/h时,表面已几乎被缺陷覆盖.因此,在较高生长速度下,需做进一步地研究来控制和外延膜表面缺陷密度.不同c/si生长的外延膜表面形貌见图5.在c/si为0.5时,在外延膜表面形成大量的“逗号”状的凹坑.通过raman表明凹坑中存在着晶体si,说明在此条件下,si源严重过量,表面出现硅液滴的不断沉积与挥发.但c/si大于1.5时,外延膜表面形貌没有太大区别.通过对生长机制的分析,可以认为三角形凹坑缺陷是由台阶侧向的性所决定的.按照sic“台阶控制”生长理论模型,同质外延利用台阶的侧向生长以衬底的堆积顺序(晶型)[10].如图6所示,当外延生长中,在界面处出现(形成)一个缺陷点(可能是晶体缺陷、外来粒子等),就会阻碍此处台阶的侧向.随着生长的不断进行,缺陷点不断侧向生长的进行,而在台阶流下方会逐渐恢复到正常的生长.终就会在外延膜表面留下一个台阶流上方顶点处凹陷下去的三角形缺陷,且三角形缺陷在台阶流上方的顶点深,而对应边与台阶流方向垂直.2.4外延膜的结晶缺陷由于衬底以及生长艺因素的影响,外延膜中通常会形成一些结晶缺陷.用510℃熔融ko腐蚀5min后发现,衬底表面存在着如图7(a)所示的“贝壳状”腐蚀坑,对应着基平面位错(bpd)[11].stahlbush等[12]研究发现bpds在正向导通电流作用下会演变形成堆垛层错,造成高频二极管(pin)器件正向导通电压的漂移.而露头刃位错(对应7(b)中“六边形”腐蚀坑)对器件性能的影响则相对较小.因此,在sic外延生长中衬底中的bpds向外延膜中延伸对器件性能有很重要的意义.图7(b)和(c)是生长速率分别为2.2和3.5μm/h时外延膜表面腐蚀后的光学照片(mp).生长速率为2.2μm/h时,外延膜表面主要为六边形的腐蚀坑,即露头刃位错(teds),说明低生长速率有利于衬底上的bpds转化成teds.当生长速度到3.5μm/h时,由图7(c)可以看到膜上的腐蚀坑密度增大,说明生长速度后,外延膜生长中形成了大量的新缺陷.不同c/si条件生长的外延膜也进行了ko腐蚀试验.结果表明,低c/si时,外延膜中仍存在着bpds;高c/si时,外延膜中基本不存在bpds.说明高c/si有利于外延膜中的bpds.在较高c/si生长条件下bpds密度的可能是富c情况下台阶侧向生长所占例,空间螺旋生长所占例,了bpds转化成teds的几率[13-14].2.5表面缺陷的控制研究在低生长速率时,由于生长初期界面由腐蚀(表面粒子解离为主)到生长(表面粒子吸附固定)的转变相对较平稳,因此外延膜表面缺陷较少.但在高生长速率时,初期界面的转换非常,初期在界面处波动太大,形成大量的缺陷中心,从而在后续正常生长中引入大量的缺陷点,根据三角形缺陷产生的机制,终在外延膜表面形成大量的三角形凹坑缺陷.从上述分析可以看出,外延膜的缺陷密度受生长速率密切影响.高生长速率时在生长初期容易在界面上形成异常成核或者异常堆积,从而产生大量缺陷并延续到外延膜中,形成更多的表面缺陷.因此在高生长速率的情况下,要低缺陷密度的外延膜,需要控制并在初期生长界面处形成缺陷.通过在生长初期逐渐源气体流量,控制生长初期时生长界面的异常成核,可以在外延中缺陷形成.图8是生长速率为5.5μm/h时,直接外延生长和改进后的外延膜表面的光学照片,从图中可以看出改进初期生长条件后外延膜表面缺陷的密度极大地,了外延膜的.利用熔融ko腐蚀对有无初期生长的外延膜结晶缺陷做了对研究.从图9中可以看出,加入初期生长的外延膜在熔融ko腐蚀后发现,即使在很高生长速率(5.5μm/h,接近饱和生长速率)条件下,腐蚀坑密度也迅速,说明通过引入初期生长能大大外延生长初期缺陷的形成,从而极大高速生长时外延膜中的缺陷密度,因此引入初期生长是高速生长外延膜的重要手段之一。
影响高温螺栓寿命的因素1、选用螺栓螺栓结构对螺栓寿命有明显的影响。一般螺栓的寿命普遍同材料的细腰身螺栓的寿命短,这是由于螺栓应力集中系数较大,而且局部的应力集中不易转移。
2、制造和安装螺栓的表面质量加表面加质量差,会引起螺栓咬死,从而使螺栓寿命缩短。安装拧紧艺安装不正确,会给螺栓带来附加的弯曲应力,缩短螺栓寿命;螺栓拧得过紧,也会缩短螺栓寿命过滤后分别用２０ｇ／ｌ草酸溶液、体积分数为１％的溶液清洗滤纸中的氧化物夹杂，后用水冲洗至中性；（２）用滤纸包好其中的氧化物夹杂，放置于铂金坩埚中，铂金坩埚外套一个瓷坩埚放置于电炉上灰化；（３）灰化后将带瓷坩埚的铂金坩埚放于８００～８５０℃的马弗炉中烧至无黑（去除ｃ）；（４）将坩埚干燥皿中冷却，然后加入１．５ｇ与酸的混合物（为２∶１）置于８５０～９００℃马弗炉中至氧化物夹杂完全溶解；（５）将冷却后的铂金坩埚放入玻璃烧杯，用稀将铂金坩埚中的样品溶解到烧杯中，将烧杯中的溶液移至容量瓶定容，配取标液进行成分分析。１．４检测分析本文对氧化物夹杂的研究采用ａｘｓ－ｄ８ｄｉｓｃｏｖｅｒ衍射仪（布鲁克光谱仪器公司）进行夹杂物的结构分析；采用ｊｓｍ－６３８０ｌｖ型扫描电镜（电子公司）进行夹杂物的形貌分析；用ｅｄａｘ－２０００型能谱仪（ｅｄａｘ公司）进行夹杂物的种类和成分鉴定；采用ｉｒｉｓｉｎｔｒｅｐｉｄⅱ型电感耦合等离子发射光谱仪（ｔｈｅｒｍｏ－ｆｉｓｈｅｒ公司）进行氧化物夹杂的定量分析；后采用ｔｃ６００ｃ型氧氮分析仪（ｌｅｃｏ公司）对合金进行氧含量分析，进而与提取的氧化物夹杂中的氧进行较分析，并验证定量分析的准确性。
根据我国2007年投入产出表以及公布的各项能源产品的价格，即可测算相关产业部门的综合能源消耗系数以及单位产值消耗煤数量。（三）批零行业能源消耗水平的计算结果。批发与零售行业能源消耗水平的综合较分析为了更好地分析批发与零售行业的能源消耗水平状况，本文通过能源消耗的产业部门对分析和产业部门内的行业对分析，得出相应的结论。（一）产业内主要行业之间的能源消耗值较分析。流通产业内的三大行业包括批发与零售、物流配送、住宿与餐饮，三大行业的能源消耗值根据统计年鉴能源统计年鉴所给资料，按照相应的计算并整理所得：批发零售、住宿餐饮及物流配送的能源消耗中煤炭消费量、汽油消费量、天然气消费量及电力消费量占有较大的重，除此之外，还包括焦炭消费量、消费量、煤油消费量、柴油消费量、燃料油消费量。
对于旋压封头，压鼓中，坯料受到压鼓头的不断捶打，减薄量冲压封头更大，壁厚均匀性较差。只要艺控制得当，艺减薄是可控的。出现减薄超标的主要原因有：一是压边圈压力过大，坯料拉伸度小；二是坯料和模具光洁度差、剂效果不佳，造成坯料拉伸阻力大，拉伸效果差；三是压鼓艺控制不好壁厚减薄不均。1.5划伤缺陷及产生原因分析封头划伤是封头加中产生表面损伤缺陷，内外表面都可能出现划伤现象。划伤产生的主要原因是：一是模具表面不够圆滑，有尖锐缺损；二是热压时，坯料表面形成较厚的氧化层，压制中脱落造成划伤；三是转运中不当操作也会引起外表面划伤。1.6拉裂缺陷及产生原因分析拉裂是拉伸力超过材料的强度极限开裂。n08904内六角螺栓
86-0510-85308871
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