解决电磁干扰一般有三种途径，一是降低干扰源的强度，二是增强被驱动的mos管的抗干扰能力，三是阻隔干扰的通路。在本例中，干扰源就是变压器要传递的脉冲，这是无法降低的。给驱动加上负压，可以大大增强mos管的抗干扰能力，这种方法为许多电源所采用。本例采用第三种方法，即在驱动变压器的各绕组间加绕屏蔽层，其结构共5个绕组和5个屏蔽层。整个变压器包括屏蔽层从左向右逐层绕制，n1接到控制回路的地；两个下管驱动绕组由于电位变化不大，同时与n2连接，实际上是接到了功率地；n3和n4将上管绕组na包了起来，并与na的异名端相接；n5将绕组nd与na隔离。这样每个绕组都和它的屏蔽层同电位，它们之间不会有容性电流。当上管ta导通、上管绕组na的电位跳升时，屏蔽层n3和n4的电位也要同样跳变，由于n2和n3之间的分布电容，这个跳变将在这两个屏蔽层中间产生电流，但对管子的驱动没有影响，只是会耗损一点主功率。在实际电路中采用了加电磁屏蔽的驱动变压器之后，问题得到了全部解决。
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