mos管动态参数测试仪
st-ac1202_x
用于 si/sic/gan 材料的 mosfet&igbt的开关时间参数测试
1200v/200a的输出能力，覆盖几乎所有的半导体分立式单管器件
开通延迟 td(on) 0.1ns~10us 关断延迟 td(off) 0.1ns~10us
上升时间 tr 0.1ns~10us 下降时间 tf 0.1ns~10us
开通时间 ton 0.1ns~10us 关断时间 toff 0.1ns~10us
开通损耗 eon 1uj~1000mj 关断损耗 eoff 1uj~1000mj
拖尾电流 0.1a~30a
♦产品简述
mos管动态参数测试仪是主要针对 半导体功率器件的动态参数测试 而开发设计。通过dut适配器的转换，可测试各类封装外观的 igbts，mosfets，diodes等功率器件，包括器件、模块、dbc衬板以及晶圆。产品功能模块化设计，根据用户需求匹配功能单元。测试功能单元有dpt（双脉冲测试 double pulse testing，以下简称dpt。包含开通特性、关断特性、反向恢复特性）栅电荷、短路、雪崩、结电容、栅电阻、反偏安全工作区等。测试方案完全符合iec60747-9国际标准。
产品功能及输出功率进行了模块化设计，满足用户潜在的后期需求，*高测试电压电流可扩展至10kv/10ka，变温测试支持常温到200℃，支持生产线批量化全自动测试。
mos管动态参数测试仪
♦产品特点
mos管动态参数测试仪系统电压以1500v为一个模块，电流以2000a为一个模块，可扩展至10ka/10kv
内置7颗标准电感负载可选用, 另有外接负载接口,可实现不同电感和电阻负载测试需要(20/50/100/200/500/1000/2000uh)
另有程控式电感箱可供选择
针对不同结构的封装外观，通过更换 dut适配器即可
可进行室温到200℃的变温测试,也可实现子单元测试功能
测试软件具有实验模式和生产模式，测试数据可存储为excel文件
门极电阻可任意调整, 系统内部寄生电感为*小至50nh
系统测试性能稳定,适合大规模生产测试应用（24hr 工作）
安全稳定（plc 对设备的工作状态进行全程实时监控并与硬件进行互锁）
系统具有安全工作保护功能，以防止模块高压大电流损坏时对使用者造成伤害，设计符合ce认证
支持半自动和全自动测试
采用品牌工控机，具有抗电磁干扰能力强，排风量大等特点
自动化：单机测试时只需手动放置dut，也可连接机械选件实现自动化测试线
智能化，通过主控计算机进行操控及数据编辑，测试结果自动保存及上传指定局域网
安全性，防爆，防触电，防烫伤，短路保护等多重保护措施，确保操作人员、设备、数据及样品安全。
♦参数指标
mos管动态参数测试仪厂家直供。
产品系列
晶体管图示仪
半导体分立器件测试筛选系统
静态参数（包括iges/vge(th)/vcesat/vf/ices/vces等）
动态参数（包括turn_on&off_l/qrr_frd/qg/rg/uis/sc/rbsoa等）
环境老化（包括 htrb/htgb/h3trb/surge等）
热 特 性（包括 pc/tc/rth/zth/kcurve等）
可测试 si/sic/gan 材料的 igbts / mosfets / diodes / bjts / scrs等功率器件
西安天光测控技术有限公司