气体传感器规格按质量计算，在sno2中加入3～5％的tho2，5％的sm2．在600℃的h2气氛中烧结，制成厚膜器件，工作温度为400℃。则可作为co检测器件。上图右图是烧结温度为600℃时气敏器件的特性。可看出，工作温度在170～200℃范围内，对h2的灵敏度曲线呈抛物线，而对co改变工作温度则影响不大，因此，利用器件这一特性可以检测h2。而烧结温度为400℃制成?骷ぷ魑露任?00℃时，对h2、co的灵敏度曲线形状都近似呈直线，但对co的灵敏度要高得多，可以制成对co敏感?宕衅鳌?/span>
气体传感器种类1、灵敏度
当氢气浓度较低时，氢气敏mosfet灵敏度很高，1ppm氢气浓度变化，△ut的值可达到10mv，当氢气浓度较高时，传感器的灵敏度会降低。
2、对气体选择性
钯原子间的“空隙”恰好能让氢原子通过，因此，钯栅只允许氢气通过，有很好的选择性。
3、响应时间
这种器件的响应时间受温度、氢气浓度的影响，一般温度越高，氢气浓度越高，响应越快，常温下的响应时间为几十秒。
气体传感器类型4、稳定性
实际应用中，存在ut随时间漂移的特性，为此，采用在hcl气氛中生长一层sio2绝缘层，可以显著改善ut?啤?/span>
除氢气外，其他气体不能通过钯栅，制作其他气体的pd—mosfet气敏传感器要采用一定措施，如制作co敏mosfet时要在钯栅上制作约20nm的小孔，就可以允许co气体通过。另外，由于pd—mosfet对氢气有较高的灵敏度，而对co的灵敏度却较低，为此可在钯栅上蒸发一层厚约20nm的铝作保护层，阻止氢气通过。钯对 气分解反应的催化作用较弱，为此，要先在sio2绝缘层上沉淀一层活性 ，如pt、ir、la等。再制作钯栅，可制成 气敏mosfet。
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