据统计资料显示，2017年中国光刻胶行业产量达到7.56万吨，较2016年增加0.29万吨，其中，中国本土光刻胶产量为4.41万吨，与7.99万吨的需求量差异较大，说明我国供给能力还需提升。
国内企业的光刻胶产品目前还主要用于pcb领域，代表企业有晶瑞股份、科华微电子。
在半导体应用领域，随着汽车电子、物联网等发展，会在一定程度上增加对g线、i线的需求，利好g线、i线等生产企业。预计g线正胶今后将占据50%以上市场份额，i线正胶将占据40%左右的市场份额，duv等其他光刻胶约占10%市场份额，给予北京科华、苏州瑞红等国内公司及美国futurrex的光刻胶较大市场机会。
光刻的工序
下面我们来详细介绍一下光刻的工序：
一、清洗硅片（wafer clean）
清洗硅片的目的是去除污染物去除颗粒、减少其它缺陷，光刻胶nr26-25000p?，提高光刻胶黏附性
基本步骤：化学清洗——漂洗——烘干。
自1970年美国rca实验室提出的浸泡式rca化学清洗工艺得到了广泛应用，1978年rca实验室又推出兆声清洗工艺，近几年来以rca清洗理论为基础的各种清洗技术不断被开发出来，例如：美国fsi公司推出离心喷淋式化学清洗技术、美国原cfm公司推出的full-flow systems封闭式溢流型清洗技术、美国verteq公司推出的介于浸泡与封闭式之间的化学清洗技术（例goldfinger mach2清洗系统）、美国ssec公司的双面檫洗技术（例m3304 dss清洗系统）、 日本提出无药液的电介离子水清洗技术（用电介超纯离子水清洗）使抛光片表面洁净技术达到了新的水平、以hf / o3为基础的硅片化学清洗技术。
pr1-2000a1 试验操作流程
pr1-2000a1的厚度范围可以做到 1500到3500nm，如下以膜厚2900nm为列；
1，静态滴胶后以1300转/分速度持续40秒。同时必须需要在1秒内达到从0转/分到1300转/分的升速度；
2，光刻胶，前烘：热板120度120秒；
3，冷却至室温；
4，用波长为365，406，436的波长曝光，
5，在温度为20-25度，使用rd6浸泡式、喷雾、显影 ；
6，去除光刻胶，可使用ch3coch3，rr5，rr41等。
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