产品简介：此款设备配有plasma实现等离子增强，滑轨式设计在操作时可将实验需要的恒定高温直接推到样品处，使样品能得到一个快速的升温速度，同样也可将高温的管式炉直接推离样品处，使样品直接暴露在室温环境下，得到快速的降温速率。并可选配气氛微调装置，可准确的控制反应腔体内部的气体压力，带刻度的调节阀对于做低压cvd非常简单实用，工艺重复性好，对于石墨烯生长工艺非常合适，也同样适用于要求快速升降温的cvd实验。
主要组成系统及特点：
本设备主要由管式加热炉体，真空系统，质子流量供气系统，射频等离子源，石英反应腔室等部件组成。
主要特点：
1、通过射频电源把石英真空室内的气体变为离子态。
2、pecvd比普通cvd进行化学气相沉积所需的温度更低。
3、可以通过射频电源的频率来控制所沉积薄膜的应力大小。
4、pecvd比普通cvd进行化学气相沉积速率高、均匀性好、一致性和稳定性高。
5、广泛应用于：各种薄膜的生长，如：siox, sinx, sioxny和无定型硅(a-si:h)等。
石英管：根据需求选择不同直径的石英管作为反应室。有φ40，φ60，φ80，φ100，φ120，φ150等规格可选。）
质量供气系统技术参数：（根据需求选择多路质子流量供气系统。有两路gq-2z，三路gq-2z，四路gq-2z，五路gq-2z或更多路供选择。）
真空系统技术参数（根据需求选择不同真空效果的真空系统。有dzk10-1（极限真空0.1pa），gzk10-3（极限真空0.001pa），以及进口高真空机组（极限真空0.0001pa）供选择。）
射频电源（根据需求选择强度不同的射频电源。有dlz300（300w），dlz500（500w）或更大功率的射频电源供选择）
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价格说明
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