近年来，随着科学技术及半导体工艺技术的发展，半导体器件的性能有了很大的提高。过去在杂志上介绍各类新型集成电路较多，而分立器件则相对报导较少。实际上，最近几年就以双极型晶体管(以下简称三极管)来讲开发出不少新产品，在性能上与老产品相比较有很大的改进：主要是减小功耗、增加输出电流，并且提出崭新的参数概念。 
本文介绍zetex semiconductor公司在2005～2006年推出的zxtn系列中功率npn三极管。用该系列产品来更换老型号的中功率三极管，不仅封装尺寸小，并且由于其功耗小，输出电流大，增加了输出功率，提高了效率，并且可以简化散热措施。 
zxtn系列的主要特点 
zxtn系列有如下的型号：zxtn19055dz、zxtn2005g、zxtn2005z、zxtn2007g及zxtn2007z。这些中功率npn三极管的共同特点：工作电压范围宽，耐压为25～55v，适合大多数工业上应用的电压范围(5～24v)，个别的可用于48v电压下工作；工作温度范围宽，从-55～ +150℃，可应用到温度条件恶劣的汽车工业，也满足军工上的应用要求；最大的特点是饱和电压v ce(sat) (或vces)很低，在最大连续输出电流i c(cont)时，vce(sat)小于250mv，与一般老型号同类三极管相比较，减小了2～5倍；输出电流大，连续输出电流可达5.5～7a；在输出大的集电极电流时，其共发射极直流电流放大系数hfe的特性极好；特征频率ft高，可达140～150mhz(有的可达200mhz)，既适用于高频，也适用于低频或直流场合，应用十分灵活；封装尺寸小，贴片式sot-89(4.5mm×2.7mm)或sot-223(6.5mm×3.5mm)封装。 
应用领域 
由于zxtn系列有上述特点，它们的应用领域十分广泛，主要有：螺管线圈、继电器、功率开关、马达驱动(包括直流风扇电机)、dc/dc转换器、lcd背光驱动电路、充电器电路、应急灯电路、汽车照明电路等。 
饱和电压v ce(sat)低 
饱和电压v ce(sat) (或用vces表示)是三极管的重要参数之一。在三极管放大电路中，集电极(或发射极)总接有负载(以rl表示)，如图1所示。当电源vcc一定时，ic增大时，相应的vce必定减小，当vce减小到一定程度，ib再增大，ic也不再增加，此时三极管失去放大作用，这种状态称为三极管饱和，此时的vce被称为饱和电压降，用v ce(sat)或vces表示。饱和电压降v ce(sat)与ic及ib有关，ic越大，则vce(sat)也越大。