hz530tan头套件由用于emi诊断的三个有源宽带tan头组成。这些tan头可与输入阻抗为50ω的hameg频谱分析仪相连。tan头可通过频谱分析仪或电池来供电。这些tan头具有细长的外形，因此甚至在空间狭窄的测试环境中也可接触到测试对象。
磁场tan头可提供一个与频谱分析仪的磁场强度成正比的信号。这样就可以很高的精度找到干扰源。
高阻抗tan头可用于确定触点、线路和印刷电路板上的干扰电平。
电场tan头在这三种tan头中灵敏度zui高。它可用于评估被测设备中的总体屏蔽和滤波效果。
在认证机构中，使用经过各类校准的天线进行辐射泄露测试，都是进行的远场测量。标准的远场辐射泄漏测试，可以准确定量的告诉我们被测件是否符合相应的emi 标准。但是远场测试无法告诉工程师，严重的辐射问题到底是来自于壳体的缝隙，还是来自连接的电缆，或usb ，lan 之类的通信接口。在这种情况下，我们可以通过近场测试的方法来定.位辐射的真正来源。
近场emi 测量的问题在于使用近场tan头的测量结果和使用天线进行远场测量的结果无法直接进行数学转换。但是存在一个基本原理：近场的辐射越大，远场的辐射也必然越大。所以使用近场tan头测量，实际上是一个相对量的测量，而不是精.确的绝.对量测量。使用近场tan头进行emi 预兼容测试时，我们常常把新被测件测试结果和一个已知合格被测件的近场tan头测试（近场测试）结果进行比较，来预测emi 辐射泄漏测试（远场测试）的结果，而不是直接和符合emi兼容标准的限制线进行比较。同时，测试的绝.对数值意义也不大，因为这个测试结果和诸多变量，包括tan头的位置方向、被测件的形状等会密切相关。
电磁场是由电场和磁场构成。在近场，电场和磁场共同存在，其强度不构成固定关系。以电场为主还是磁场为主，主要是由发射源的类型决定的。简而言之，在高电压，低电流的区域，电场大于磁场。高电流，低电压的区域，磁场大于电场。同时在主要的emi 测试频段，磁场随着距离的变化要快于电场。
因为磁场是由电流.产生的，所以最常见的发射源包括芯片，器件的管脚、pcb 上的布线、电源线及信号线缆。最常见的磁场tan头多为环状，当磁场传播线和tan头环面垂直的时候，测量数值最.大。所以在测量过程中，工程师一般需要旋转tan头的方向来测量到最.大的磁场数值，同时避免遗漏重要的发射源。
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