近百年来,温度传感器的发展大致经历了三个阶段:传统的分立式温度传感器(含敏感元件);模拟集成温度传感器腔制器;智能温度传感器。
温度传感器目前分为传统温度传感器和基于硅的温度传感器。传统温度传感器包括热敏电阻、电阻温度检测器(rtd)和热电偶。这些器件是模拟器件,因此在将它们用于数字控制回路之前,必须将它们的输出数字化。热敏电阻通常由陶瓷或聚合物制成,而rtd由金属制成。rtd的工作温度范围大于热敏电阻的工作温度范围。由于热敏电阻和rtd是纯阻性的,因此它们需要外部电压源。热电偶使用不同的金属结合而成,输出电压与温度差值成正比,但与周围环境的温度不成正比。
温度传感器不局限于模拟器件。基于硅的温度传感器能够精准输出其测量温度所代表的数字量。相比于需要外部信号调理电路和模数转换器(adc)的方法,这种方案简化了控制系统的设计。
体温传感器技术研究现状
在体温测量领域,集成温度传感器和ntc热敏电阻相比于其他的温度传感器具有体积小、灵敏度高和响应时间快的优点,均是作为可穿戴式电子体温计感温元件的良好选择。
集成温度传感器广泛的应用于各个领域,传感器外壳定做,例如食品监测、无源无线网络以及其他热管理装置。cmos工艺下的集成温度传感器由于具有易于与其他电路集成、成本低、体积小以及功耗低等优点正越来越受到大家的青睐。近几年来,己陆续有cmos温度传感器应用于人体体温测量的研究和报道。尽管如此,集成cmos温度传感器并未广泛的应用于医用电子体温计,这主要是因为集成温度传感器的温度测量精度不容易达到医用电子体温计的行业标准。
硅衬底工艺下的半导体集成电路中的感温器件主要包括集成电阻、mos晶体管、双极性晶体管、二极管以及cmos工艺下的寄生双极性晶体管等。研究证明,双极性晶体管是集成电路技术中理想的温度传感器单元,但双极性工艺难以实现数字接口而bicmos技术成本又很高,而cmos工艺易于实现数字和模拟电路的集成,在集成电路设计中占主导地位,因此大多数设计通常采用cmos。工艺下的纵向寄生pnp晶体管作为集成温度传感器的感温传感器配件。由于cmos工艺下纵向寄生双极型晶体管自身的物理特性受工艺偏差等因素的影响,cmos温度传感器的精度一直是其设计的难点。cmos工艺下的集成温度传感器的精度主要受纵向寄生pnp晶体管的电流增益变化、器件失配、机械应力以及工艺偏差等的影响。要实现高精度的温度测量,须采用有效的误差消除技术和适当的校准技术。目前国内外报道的误差消除技术主要包括动态匹配技术(dynamic-element-matching,dem)、斩波技术、非线性的二阶曲率补偿等,校准技术主要分为晶圆级的校准、封装进传感器外壳后的校准以及校准。
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