品牌Vishay	型号SUM90N10-8M2P-E3
种类绝缘栅(MOSFET)	沟道类型N沟道
导电方式耗尽型	用途A/宽频带放大
封装外形CHIP/小型片状	材料ALGaAS铝镓砷
是否跨境货源否	货号NA
批号18+	封装 D2PAK

vishay mosfet管sum90n10-8m2p-e3
制造商 vishay siliconix
型号 sum90n10-8m2p-e3
描述 mosfet n-ch 100v 90a d2pak
features
? trenchfet? power mosfets
? 175 °c junction temperature
? 100 % rg and uis tested
? compliant to rohs directive 2002/95/ec
applications
? power supply
- secondary synchronous rectification
? industrial
? primary switch
sum90n10-8m2p-e3 vishay siliconix | sum90n10-8m2p-e3tr-nd digikey electronics
产品概览
digi-key 零件编号 sum90n10-8m2p-e3tr-nd
现有数量 0
检查提前期
制造商
vishay siliconix
制造商零件编号
sum90n10-8m2p-e3
描述 mosfet n-ch 100v 90a d2pak
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(rohs)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(rohs)规范要求
湿气敏感性等级（msl） 1（无限）
制造商标准提前期 22 周
详细描述 表面贴装 n 沟道 100v 90a（tc） 3.75w（ta），300w（tc） to-263（d2pak）
文档与媒体
数据列表 sum90n10-8m2p
视频文件 mosfet technologies for power conversion
pcn 组件/产地 assembly site add 9/jun/2016
产品属性
类别 晶体管 - fet，mosfet - 单
制造商 vishay siliconix
fet 类型 n 沟道
技术 mosfet（金属氧化物）
漏源电压（vdss） 100v
电流 - 连续漏极（id）（25°c 时） 90a（tc）
驱动电压（ rds on，***小 rds on） 10v
不同 id 时的 vgs（th）（值） 4.5v @ 250?a
不同 vgs 时的栅极电荷 （qg）（值） 150nc @ 10v
vgs（值） ±20v
不同 vds 时的输入电容（ciss）（值） 6290pf @ 50v
fet 功能 -
功率耗散（值） 3.75w（ta），300w（tc）
不同 id，vgs 时的 rds on（值） 8.2 毫欧 @ 20a，10v
工作温度 -55°c ~ 175°c（tj）
供应商器件封装 to-263（d2pak）

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深圳市水星电子有限公司
李先生
13632880560
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