vmos场效应管（vmosfet）简称vmos管或功率场效应管，其全称为v型槽mos场效应管。它是继mosfet之后新发展起来的高效、功率开关器件。它不仅继承了mos场效应管输入阻抗高（≥108w）、驱动电流小（左右0.1μa左右），还具有耐压高（最高可耐压1200v）、工作电流大（1.5a～100a）、输出功率高（1～250w）、跨导的线性好、开关速度快等优良特性。正是由于它将电子管与功率晶体管之优点集于一身，因此在电压放大器（电压放大倍数可达数千倍）、功率放大/器、开关电源和逆变器中正获得广泛应用。
众所周知，传统的mos场效应管的栅极、源极和漏极大大致处于同一水平面的芯片上，其工作电流基本上是沿水平方向流动。vmos管则不同，其两大结构特点:*一，金属栅极采用v型槽结构；第二，具有垂直导电性。由于漏极是从芯片的背面引出，所以id不是沿芯片水平流动，而是自重掺杂n+区（源极s）出发，经过p沟道流入轻掺杂n-漂移区，最后垂直向下到达漏极d。因为流通截面积增大，所以能通过大电流。由于在栅极与芯片之间有二氧化硅绝缘层，因此它仍属于绝缘栅型mos场效应管。
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