事实上，我国是在缺乏经验、缺乏专业技术人才，缺失关键上游原材料的条件下，全靠自己摸索。近年来，尽管光刻胶研发有了一定突破，但国产光刻胶还是用不起来。目前，国外阻抗已达到15次方以上，而国内企业只能做到10次方，满足不了客户工艺要求和产品升级的要求，光刻胶，有的工艺虽达标了，但批次稳定性不好。
“10次方的光刻胶经过多次烘烤，由于达不到客户需求的防静电作用，不能应用到新一代窄边框、全面屏等面板上。而国外做到15次方就有了很好的防静电作用。这还是我们的光刻胶材料、配方、生产工艺方面存在问题。”李中强说。
关键指标达不到要求，国内企业始终受制于人。就拿在国际上具有一定竞争实力的京东方来说，目前已建立17个面板显示生产基地，进口光刻胶 价格，其中，有16个已经投产。但京东方用于面板的光刻胶，仍然由国外企业提供。
下游发展趋势
光刻胶的质量和性能是影响集成电路性能、成品率及可靠性的关键因素。光刻工艺的成本约为整个芯片制造工艺的35%，并且耗费时间约占整个芯片工艺的40%到50%。光刻胶材料约占ic制造材料总成本的4%，进口光刻胶 进口厂家，市场巨大。因此光刻胶是半导体集成电路制造的核心材料。2016年全球半导体用光刻胶及配套材料市场分别达到14.5亿美元和19.1亿美元，分别较2015年同比增长9.0%和8.0%。预计2017和2018年全球半导体用光刻胶市场将分别达到15.3亿美元和15.7亿美元。随着12寸先进技术节点生产线的兴建和多次曝光工艺的大量应用，193nm及其它先进光刻胶的需求量将快速增加
五、曝光
在这一步中，将使用特定波长的光对覆盖衬底的光刻胶进行选择性地照射。光刻胶中的感光剂会发生光化学反应，从而使正光刻胶被照射区域（感光区域）、负光刻胶未被照射的区域（非感光区）化学成分发生变化。这些化学成分发生变化的区域，在下一步的能够溶解于特定的显影液中。
在接受光照后，进口光刻胶 哪家好，正性光刻胶中的感光剂dq会发生光化学反应，变为乙烯酮，并进一步水解为茚并羧酸（indene-carboxylic-acid， ca），羧酸在碱性溶剂中的溶解度比未感光部分的光刻胶高出约100倍，产生的羧酸同时还会促进酚醛树脂的溶解。利用感光与未感光光刻胶对碱性溶剂的不同溶解度，就可以进行掩膜图形的转移。
曝光方法：
a、接触式曝光（contact printing）掩膜板直接与光刻胶层接触。
b、接近式曝光（proximity printing）掩膜板与光刻胶层的略微分开，大约为10～50μm。
c、投影式曝光（projection printing）。在掩膜板与光刻胶之间使用透镜聚集光实现曝光。
d、步进式曝光(stepper)
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