在光刻胶的生产上，我国主要生产pcb光刻胶，lcd光刻胶和半导体光刻胶生产规模较小， 2015年据统计我国光刻胶产量为9.75万吨，进口光刻胶 显影，其中中低端pcb光刻胶产值占比为94.4%，半导体和lcd光刻胶分分别占比1.6%和2.7%，严重依赖进口。
纵观全球市场，光刻胶专用化学品生产壁垒高，国产化需求强烈。 化学结构特殊、保密性强、用量少、纯度要求高、生产工艺复杂、品质要求苛刻，生产、检测、评价设备投资大，技术需要长期积累。
至今光刻胶专用化学品仍主要被被日本合成橡胶（jsr）、东京应化（tok）、住友化学、美国杜邦、美国futurrex、德国巴斯夫等化工寡头垄断。
负性光刻胶
负性光刻胶
   负性光刻胶分为粘性增强负性光刻胶、加工负性光刻胶、剥离处理用负性光刻胶三种。
   a、粘性增强负性光刻胶
   粘性增强负胶的应用是在设计制造中替代基于聚异戊二烯双叠氮的负胶。粘性增强负胶的特性是在湿刻和电镀应用时的粘附力；很容易用光胶剥离器去除，厚度范围是﹤0.1 ～ 120.0 μm，可在i、g以及h-line波长曝光。
   粘性增强负胶对生产量的影响，光刻胶，消除了基于溶液的显影和基于溶液冲洗过程的步骤。优于传统正胶的优势：控制表面形貌的优异带宽、任意甩胶厚度都可得到笔直的侧壁、具有一次旋涂即可获得100 μm甩胶厚度、厚胶层同样可得到优越的分辨率、150 ℃软烘烤的应用可缩短烘烤时间、优异的光速度进而增强曝光通量、更快的显影，100 μm的光胶显影仅需6 ～ 8分钟、光胶曝光时不会出现光胶气泡、可将一个显影器同时应用于负胶和正胶、不必使用粘度增强剂。
   i线曝光用粘度增强负胶系列：np9–250p、np9–1000p、np9–1500p、np9–3000p、np9–6000p、np9–8000、np9–8000p、np9–20000p。
   g和h线曝光用粘度增强负胶系列：np9g–250p、np9g–1000p、np9g–1500p、np9g–3000p、np9g–6000p、np9g–8000。
   b、加工负胶
  加工负胶的应用是替代用于rie加工及离子植入的正胶。加工负胶的特性在rie加工时优异的选择性以及在离子植入时优异的温度阻抗，厚度范围是﹤0.1 ～ 120.0 μm，可在i、g以及h-line波长曝光。
  加工负胶优于正胶的优势是控制表面形貌的优异带宽、任意甩胶厚度都可得到笔直的侧壁、具有一次旋涂即可获得100 μm甩胶厚度、厚胶层同样可得到优越的分辨率、150 ℃软烘烤的应用可缩短烘烤时间、优异的光速度进而增强曝光通量、更快的显影，100 μm的光胶显影仅需6 ～ 8分钟、光胶曝光时不会出现光胶气泡、可将一个显影器同时应用于负胶和正胶、优异的温度阻抗直至180 ℃、在反应离子束刻蚀或离子减薄时非常容易地增加能量密度，从而提高刻蚀速度和刻蚀通量、非常容易进行高能量离子减薄、不必使用粘度促进剂。
   用于i线曝光的加工负胶系列：nr71-250p、nr71-350p、nr71-1000p、nr71-1500p、nr71-3000p、nr71-6000p、nr5-8000。
光刻胶市场
全球光刻胶市场扩增，对光刻胶的总需求不断提升。据估计，2015年国际光刻胶市场达73.6亿美元，其中pcb光刻胶占比24.5%，进口光刻胶 价格，lcd光刻胶占26.6%，进口光刻胶 哪里好，半导体光刻胶占比24.1%。2010年到2015年期间，国际光刻胶市场年复合增长率约为5.8%；据中国产业信息网数据，2015年，pcb光刻胶、lcd光刻胶和半导体光刻胶的国际市场增速均在5%左右。在下游产业的带动下，江瀚咨询预计国际光刻胶市场规模在2022年可能突破100亿美元。
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