概述：
m8916是一款带有源功率因数校正的高精度非隔离降压型led恒流控制芯片， m8916集成有源功率因数校正电路，可以实现很高的功率因数和很低的总谐波失真。由于工作在电感电流临界连续模式，功率mos管处于零电流开通状态，开关损耗得以减小，同时电感的利用率也较高。m8916内部集成500v功率mosfet,只需要很少的外围器件，即可实现优异的恒流特性。m8916采用专利的浮地构架，对电感电流进行全周期采样，可实现高精度输出恒流控制，并达到优异的线电压调整率和负载调整率。另外，m8916具有过热调节功能，在驱动电源过热时减小输出电流，以提高系统的可靠性。
特点：                                应用：
■内置有源功率因数校正                              ■gu10/e27 led球泡灯、射灯
■电感电流临界连续模式                                    ■led par灯
■高性能的线电压调整率和负载调整率                      ■led日光灯
■±3%输出电流精度                                    ■其它
■内置500v功率mosfet
■启动电流
■高达95%的系统效率
■多重保护功能
 led开路/短路保护
 电流采样电阻开路保护
 逐周期原边电流限流
 芯片供电过压/欠压保护
 自动重启功能
 过热调节功能
■采用sop-8封装
典型应用：
图1 m8916典型应用图
管脚排列图:
图2 m8916管脚排列图
管脚描述：
管脚名称 管脚号 管脚描述
comp 1 环路补偿点
gnd 2 芯片信号和功率地
vdd 3 芯片供电
inv 4 反馈信号采样端
drain 5,6 内部高压mosfet的漏极
sen 7,8 电流采样端，接采样电阻到地
   
极限参数：
符号 名称 参数范围 单位
vds 内部高压mosfet漏极到源极的峰值电压 -0.3~500 v
idd_max vdd引脚最大钳位电流 10 ma
comp 环路补偿点 -0.3~6 v
inv 辅助绕组的反馈端 -0.3~6 v
sen 电流采样端 -0.3~6 v
pdmax 功耗(注2) 0.45 w
θja pn结到环境的热阻 145 ℃/w
tj 工作结温范围 -40 to 150 ℃
tstg 储存温度范围 -55 to 150 ℃
esd (注3) 2 kv
电气参数：tc=25℃
符号 参数描述 条件 最小值 典型值 最大值 单位
电源电压
vdd_on vdd启动电压 vdd上升 18.5 v
vdd_uvlo vdd欠压保护阈值 vdd下降 7 v
vdd_clamp vdd钳位电压 24.5 v
idd_uvlo vdd关断电流 vdd上升vdd=vdd_on-1v 3 20 ua
idd vdd工作电流 750 ua
inv反馈
vinv_ovp inv过压保护阈值 1.6 v
ton_max 最大导通时间 20 us
toff_min 最小关断时间 3 us
toff_max 最大关断时间 100 us
电流采样
vsen_limit sen峰值电压限制 1.0 v
tleb_sen 电路采样前沿消隐时间 350 ns
tdelay
芯片关断延迟 200 ns
环路补偿
vref 内部基准电压 0.194 0.200 0.206 v
vcomp_lo comp下钳位电压 1.5 v
vcomp comp线性工作范围 1.5 3.5 v
vcomp_ovp comp保护电压 3.8 v
功率mosfet
rds_on 功率mosfet导通电阻 vgs=10v/ids=0.5a 5.5 ω
bvdss 功率mosfet击穿电压 vgs=0v/ids=250ua 500 v
idss 功率mosfet漏电流 vgs=0v/vds=500v 1 ua
过热调节
treg 过热调节温度 150 ℃
注4：典型参数值为25˚c下测得的参数标准。
注5：规格书的最小、最大规范范围由测试保证，典型值由设计、测试或统计分析保证。
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