联系：136手3251机2031 ablebond? 84-1lmisr4 导电粘晶胶非常适用在高产率、自动粘晶设备上。ablebond? 84-1lmisr4导电粘晶胶的流变特性使得它可以进行最小剂量的点胶，以及最小的粘晶停留时间，并且没有拖尾或拉丝问题。因此，ablebond? 84-1lmisr4独特的粘接性能使得它成为半导体工业中最为常用的粘晶材料之一。 特性 ?优良的点胶性能，具有最小的拖尾或拉丝现象 ? 箱式烘箱中固化 uncured properties 固化前的性质 test description 测试方法描述 test method 测试方法 filler type/填料类型 silver viscosity/粘度 @ 8,000 cps brookfield cp51 @ 5rpm atm-0018 thixotropicindex/触变指数 5.6 visc @ 0.5/visc @ 5rpm atm-0089 work life/工作时间 @25℃ 18 hours physical work life by % filler atm-0067 storage life @-40℃ 1 year atm-0068 cure process data 固化条件 test description 测试方法描述test method 测试方法 recommended cure condition/推荐固化条件 1 hour @ 175℃ alternate cure condtion (1)/可选固化条件 3-5℃/min ramp to 175℃+1 hour @ 175℃ 1the ramp cure was oberserved to yield reduced voiding andincreased strength. 渐进升温可以减少气泡产生，以及增加强度。 weight loss on cure /固化后的热失重 5.3% 10×10 mm si die on glass slide atm-0031 physiochemical properties-psot cure 固化后的物理化学性质 test description 测试方法描述 test method测试方法 ionics/离子 chloride sodium potassium 5 ppm 3 ppm 1ppm teflon flask 5 gm sample/20-40 mesh 50 gm di water 100℃ for 24 hours atm-0007 water extract conductivity 导电率 13 μmhos/cm atm-0044 ph/酸碱度 6atm-0002 weight loss/热失重 @300℃ 0.35% thermogravimetric analysis 热解重量分析法 atm-0073 ablebond 84-1lmisr4 09/03 - 2 - physiochemical properties-psot cure 固化后的物理化学性质 test description 测试方法描述 test method测试方法 glass transition temperature 玻璃化转变温度 120℃ tma penetration mode/tma 传透法 atm-0058 coefficient of thermal expansion/热膨胀系数 below tg above tg 40ppm/℃ 150ppm/℃ tma expansion mode atm-0055 4400 mpa(640 kpsi) 3900 mpa (570 kpsi) 2000 mpa (290 kpsi) dynamic tensile modulus 动态拉伸模量 @-65℃ @25℃ @150℃ @250℃ 300 mpa (44 kpsi) dynamic mechanical thermal analysis using <0.5 mm thick sample动态力学分析法，使用厚度小于0.5mm 的样品。 atm-0112 moisture absorption 吸湿率 @ saturation 0.6% dynamic vapor sorption after 85℃/85%rh exposure atm-0093 mechanical properties-post cure 固化后的机械性能 test description 测试方法描述test method 测试方法 die shear strength/芯片的剪切强度 @25℃ 19kgf/die 2×2 mm (80×80 mil) si die atm-005218 die shear strength vs. temperature 芯片的剪切强度 与 温度的关系 @ 25℃ @200℃ @250℃ 21 kg/die 2.9 kg/die 1.7 kg/die 11kg/die 2.6 kg/die 1.4 kg/die 27 kg/die 2.4 kg/die 2.0 kg/die 3×3 mm (120×120 mil) si die substrate ag/cu leadframebare cu leadframepd/ni/cu leadframeatm-0052 die shear strength after 85℃/85% rhexposure for 168 hours/经过1小时85℃/85%条件的湿气试验后的剪切移除强度 @ 25℃ @200℃ 12 kg/die 1.8 kg/die 10 kg/die 2.5 kg/die 27 kg/die 1.8 kg/die 3×3 mm (120×120 mil) si die substrate ag/cu leadframebare culeadframepd/ni/cu leadframeatm-0052 chip warpage/芯片弯曲 @ 25℃ vs. chip size chip size warpage 7.6×7.6 mm (300×300 mil) 19μm 10.2×10.2 mm (400×400 mil) 32μm 12.7×12.7 mm (500×500 mil) 51μm 0.38 mm (15mil) thick si die on 0.2 mm thick ag/cu leadframeatm-0059 chip warpage vs. post cure thermal process2 芯片弯曲度与后固化热处理的关系 post cure /后固化 bake/后烘 @175℃) + wirebond/打线 (1 min.@250℃) +post mold (4 hrs.)7.6×7.6×0.38 mm si die (300×300×15 mil) on 0.2 mm (8 mil) thick lf substrate 20 μm 29 μm 28μm ag/cu leadframe22 μm 30 μm 28 μm bare cu leadframe
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