| 品名铝颗粒 | 牌号Al99.996 |
| 产地北京 | 铝含量≥99.999% |
| 杂质含量0.001% |
铝
化学符号：al
外 观：银白色
原 子 量：26.98154
蒸发温度：1220℃
密 度：2.7g/cm3
熔 点：660℃
沸 点：2467℃
汽化温度：1082℃
电 阻 率/μω?cm:2.66
电阻温度系数/℃-1:4.20×10-3
溶 解 于：氢氧化钠，碱类，稀硝酸
蒸发方式：钨丝或钼舟
蒸发源材料（丝、片）:w
坩 埚:bn、tic/c、tib2-bn
性 能：铝膜从紫外区到红外区具有平坦而且很高的反射率，铝膜对基地的附着力比较强，由于铝膜表面总是存在着一层透明的al2o3薄膜的保护，所以铝膜的机械强度和化学稳定性都比较好。通常真 空蒸发制备的铝膜呈银灰色，但有时也呈黑色。蒸发源为电子枪，基地为氧化硅薄膜（100nm厚），蒸镀铝料的纯度为99.999%。合金及相湿、钨多股绞合较好；加工性能好，可加工成任意形状；
波长/nm 折射率n 消光系数k 反射率/%
220 0.14 2.35 91.8
250 0.19 2.85 92.0
300 0.25 3.33 92.1
340 0.31 3.8 92.3
380 0.37 4.25 92.6
436 0.47 4.84 92.7
492 0.64 5.50 92.2
546 0.82 5.44 90.0
650 1.30 7.11 90.7
700 1.55 7.00 88.8
800 1.99 7.05 86.4
950 1.75 8.50 91.2
2000 2.30 16.5 96.8
4000 5.97 30.3 97.5
6000 11.0 42.2 97.7
8000 17.0 55.0 98.0
10000 25.4 67.3 98.1
应 用：保护膜，反射膜，增透膜
用 途：超纯铝用于制造光电子存储媒体；作为集成电路的配线；
al分析报告：
si fe cu pb zn ga ti cd ag in
0.0001 0.0001 0.00014 0.00001 0.00005 0.00001 0.00005 0.00001 0.00001 0.00001
99．996%高纯铝的性能
1.干涉性中子散射断面积/㎡ 参数：1.495×10-28
2.非干涉性中子散射断面积/㎡ 参数：0.0092×10-28
3.中子吸收断面积/㎡ 参数：0.231×10-28
4.晶格常数（298k）/nm 参数: 0.40496
5.密度/g?cm-3 固态（298k）：2.699
液态（973k）：2.357
液态（1173k）:2.304
6.线膨胀系数（293k）/k-1 参数：23×10-6
7.热导率（298k）/w?（m?k）－１ 参数：237
8.体积电导率（293k,iacs）/% 参数：64.94%
9.磁化率（298k）/mm3?mol-1 参数:16×10-3
10.表面张力（熔点）/n?m-1 参数：0.868
11.黏度（熔点）/pa?s 参数：0.0012
12.熔点/k 参数：933.5k
13.熔解热/kj?mol-1 参数：10.7
14.汽化热/kj?mol-1 参数：291
15.反射率（电解抛光，对可见光）/% 参数：85～90
16.热辐射率/% 参数：3
17.超导温度/k 参数：1.175
18.切变模量/n?m-2 参数：2.667×1010
19.正弹性模量/ n?m-2 参数：7.051×1010
20.体积弹性模量/ n?m-2 参数：7.55×1010
蒂姆（北京）新材料科技有限公司
沈女士
18201317600
北京 丰台区 南三环西路128号院4号楼12层1515-1516