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回收硅片表面取向指硅片表面的结晶学方向极其偏离，如(110)30表示硅片表面结晶学方向为(110)，偏离了30(100)20’则表示硅片表面的结晶学方向为(ioo)，偏离离20，此两例偏离在1。以内，通常视为正晶向。(111)4。表示硅片表面的结晶学方向为(111)偏离4。是偏离切割的结果。这一部分前一节已经有所介绍，就不再多做重复。
硅片表面质量特性参数
硅片表面质量特性参数包括崩边、缺口、裂纹、刀痕和线痕，如图2-33。
(1)崩边
崩边指硅片表面或边缘非穿通性的缺损。
(2)缺口
一种完全贯穿硅片厚度区域的边缘缺损称为缺口。
(3)裂纹
延伸到硅片表面的解理或裂痕，它可能贯穿，也可能不贯穿硅片厚度区域。
(4))9痕（线痕）
59痕（线痕）是硅片在生产加工过程中）9具在其表面留下的痕迹。内圆切割中呈现为一系列半径为），具半径的曲线状凹陷或隆起，称为），痕；线切割过程中由于钢线运运动形成铂凹痕迹称为线痕。
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徐经理
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