性能特点采用cstbttm硅片技术饱和压降低、短路承受能力强、驱动功率小比同等级其他沟槽型igbt电流输出能力高10%，在相同输出电流时δt(j-f)低15%成本优化的封装内置导热性能优异的氮化铝(aln)绝缘基层，热阻小模块内部寄生电感小功率循环能力显著改善。
应用领域适合中、低端变频器产品设计封装尺寸  igbt modules(a series)电路拓扑 vces(v) ic(a)
75 100 150 200 300 400 600
2单元 1200   cm100dy-24a (45kb) cm150dy-24a (45kb) cm200dy-24a(45kb) cm300dy-24a(45kb) cm400dy-24a(48kb) cm600dy-24a(49kb)
1700 cm75dy-34a(110kb) cm100dy-34a(101kb) cm150dy-34a(121kb) cm200dy-34a(102kb) cm300dy-34a(100kb) cm400dy-34a(126kb)  
1单元 1200v             cm600ha-24a(117kb)
          cm400ha-24a(118kb) cm600hb-24a
cm100dy-24a  100a1200v
图片                                                                                                                                                                                       外形图纸和电路图
igbt工作原理及应用
绝缘栅双极型晶体管（igbt）的保护
引言
绝缘栅双极型晶体管igbt是由mosfet和双极型晶体管复合而成的一种器件，其输入极为mosfet,输出极为pnp晶体管，因此，可以把其看作是mos输入的达林顿管。它融和了这两种器件的优点，既具有mosfet器件驱动简单和快速的优点，又具有双极型器件容量大的优点，因而，在现代电力电子技术中得到了越来越广泛的应用。
在中大功率的开关电源装置中，igbt由于其控制驱动电路简单、工作频率较高、容量较大的特点，已逐步取代晶闸管或gto。但是在开关电源装置中，由于它工作在高频与高电压、大电流的条件下，使得它容易损坏，另外，电源作为系统的前级，由于受电网波动、雷击等原因的影响使得它所承受的应力更大，故igbt的可靠性直接关系到电源的可靠性。因而，在选择igbt时除了要作降额考虑外，对igbt的保护设计也是电源设计时需要重点考虑的一个环节。
1 igbt的工作原理
igbt的等效电路如图1所示。由图1可知，若在igbt的栅极和发射极之间加上驱动正电压，则mosfet导通，这样pnp晶体管的集电极与基极之间成低阻状态而使得晶体管导通；若igbt的栅极和发射极之间电压为0v,则mosfet截止，切断pnp晶体管基极电流的供给，使得晶体管截止
由此可知，igbt的安全可靠与否主要由以下因素决定：
——igbt栅极与发射极之间的电压；——igbt集电极与发射极之间的电压；——流过igbt集电极－发射极的电流；——igbt的结温。
如果igbt栅极与发射极之间的电压，即驱动电压过低，则igbt不能稳定正常地工作，如果过高超过栅极－发射极之间的耐压则igbt可能永久性损坏；同样，如果加在igbt集电极与发射极允许的电压超过集电极－发射极之间的耐压，流过igbt集电极－发射极的电流超过集电极－发射极允许的最大电流，igbt的结温超过其结温的允许值，igbt都可能会永久性损坏。
2保护措施
在进行电路设计时，应针对影响igbt可靠性的因素，有的放矢地采取相应的保护措施。
2．1 igbt栅极的保护
igbt的栅极－发射极驱动电压vge的保证值为±20v,如果在它的栅极与发射极之间加上超出保证值的电压，则可能会损坏igbt,因此，在igbt的驱动电路中应当设置栅压限幅电路。另外，若igbt的栅极与发射极间开路，而在其集电极与发射极之间加上电压，则随着集电极电位的变化，由于栅极与集电极和发射极之间寄生电容的存在，使得栅极电位升高，集电极－发射极有电流流过。这时若集电极和发射极间处于高压状态时，可能会使igbt发热甚至损坏。如果设备在运输或振动过程中使得栅极回路断开，在不被察觉的情况下给主电路加上电压，则igbt就可能会损坏。为防止此类情况发生，应在igbt的栅极与发射极间并接一只几十kω的电阻，此电阻应尽量靠近栅极与发射极。如图2所示。
由于igbt是功率mosfet和pnp双极晶体管的复合体，特别是其栅极为mos结构，因此除了上述应有的保护之外，就像其他mos结构器件一样，igbt对于静电压也是十分敏感的，故而对igbt进行装配焊接作业时也必须注意以下事项：
——在需要用手接触igbt前，应先将人体上的静电放电后再进行操作，并尽量不要接触模块的驱动端子部分，必须接触时要保证此时人体上所带的静电已全部放掉；
——在焊接作业时，为了防止静电可能损坏igbt,焊机一定要可靠地接地。 igbt在不间断电源的应用 .
2．2集电极与发射极间的过压保护
过电压的产生主要有两种情况，一种是施加到igbt集电极－发射极间的直流电压过高，另一种为集电极－发射极上的浪涌电压过高。
2.2.1直流过电压
直流过压产生的原因是由于输入交流电源或igbt的前一级输入发生异常所致。解决的办法是在选取igbt时，进行降额设计；另外，可在检测出这一过压时分断igbt的输入，保证igbt的安全。
2.2.2浪涌电压的保护
因为电路中分布电感的存在，加之igbt的开关速度较高，当igbt关断时及与之并接的反向恢复二极管逆向恢复时，就会产生很大的浪涌电压ldi/dt,威胁igbt的安全。
通常igbt的浪涌电压波形如图3所示。
图中：vce为igbt?电极－发射极间的电压波形；ic为igbt的集电极电流；ud为输入igbt的直流电压；vcesp=ud＋ldic/dt,为浪涌电压峰值。
如果vcesp超出igbt的集电极－发射极间耐压值vces,就可能损坏igbt。解决的办法主要有：
——在选取igbt时考虑设计裕量；——在电路设计时调整igbt驱动电路的rg,使di/dt尽可能小；
——尽量将电解电容靠近igbt安装，以减小分布电感；——根据情况加装缓冲保护电路，旁路高频浪涌电压。
由于缓冲保护电路对igbt的安全工作起着很重要的作用，在此将缓冲保护电路的类型和特点作一介绍。
—c缓冲电路如图4(a)所示，采用薄膜电容，靠近igbt安装，其特点是电路简单，其缺点是由分布电感及缓冲电容构成lc谐振电路，易产生电压振荡，而且igbt开通时集电极电流较大。
——rc缓冲电路如图4(b)所示，其特点是适合于斩波电路，但在使用大容量igbt时，必须使缓冲电阻值增大，否则，开通时集电极电流过大，使igbt功能受到一定限制。
——rcd缓冲电路如图4(c)所示，与rc缓冲电路相比其特点是，增加了缓冲二极管从而使缓冲电阻增大，避开了开通时igbt功能受阻的问题。
该缓冲电路中缓冲电阻产生的损耗为
p=li2f＋cud2f式中：l为主电路中的分布电感；i为igbt关断时的集电极电流；f为igbt的开关频率；c为缓冲电容；ud为直流电压值。
——放电阻止型缓冲电路如图4(d)所示，与rcd缓冲电路相比其特点是，产生的损耗小，适合于高频开关。
在该缓冲电路中缓冲电阻上产生的损耗为
p=1/2li2f+1/2cuf
根据实际情况选取适当的缓冲保护电路，抑制关断浪涌电压。在进行装配时，要尽量降低主电路和缓冲电路的分布电感，接线越短越粗越好。

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