fdb035an06a0 mosfet n-channel, metal oxide
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fdb035an06a0 fairchild 11+ 2884 to-263(d2pak) 现货代理
fdb035an06a0 mosfet n-channel, metal oxide 特点rds（on）=3.2mω（典型值），vgs= 10v，id =80a，qg（tot）=95nc（典型值）， vgs=10v，低的米勒电荷，低qrr体二极管，统计研究所的能力（单脉冲，重复脉冲） 合格的aec q101 图片： 电路图： 应用电机/身体负荷控制 abs系统 动力总成管理 喷射系统 dc- dc转换器和后备式ups 分布式电源架构和vrm主开关为12v和24v系统分类分立半导体产品，安装类型表面贴装，fet型mosfet n沟道金属氧化物漏极至源电压（vdss）60v，电流 - 连续漏极（id）@ 25 ° c80a rds（最大）3.5毫欧，vgs@id@80a，10v，输入电容（ciss）@ vds的6400pf@ 25v 功率 -最大310w，包装带卷（tr），栅极电荷（qg）@ vgs124nc@ 10v 封装/外壳to -263- 3，d ²pak（2引线+ tab键），to-263ab fet特点逻辑电平栅极，无铅状态lead free，rohs状态rohscompliant

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