可根据客户要求量身定制各种尺寸、厚度和晶向的epi-ready级砷化镓gaas,磷化铟inp和锗ge抛光片，产品质量国内最佳，价格合理，供货迅速：
主要技术参数spec.：
item
unit
sepcification
remarks
crystal growth
vgf
dopant
siorzn or undope
n-type/ p-type/undope
diameter
2” 3”4”6”
orientation
(100)
otherorientationavailable
carrier concentration
/cm3
0.4~2.5*1018
resisitivity
ohm.cm
(0.8-9)×10-3 (1-9)×1017
mobility
cm2/v.s
1500~3000             3000~5000
epd
/cm2
<5000     <10000
thickness
~350um   ~600um
ttv
um
<10um
tir
um
<10um
bow
um
<10um
warp
um
<10um
surface
pe  pp
epi-ready
yes
砷化镓gaas: 
尺寸：2~6
厚度：200~650um
晶向：根据客户要求

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哈尔滨特博万德科技有限公司
马文萍
13644619161
通达街458号佰斯特大厦606室