ft838nb是适用于5v1a的充电器设计方案，适用于5w的充电器方案，全电压输入范围适用于世界各地，精简的尺寸为更小巧的设计打下了基础，且为过五级能效以及满足能源之星2.0，其空载电压也是小于100ma，纹波也是控制在100mvp之下，保护功能齐全，可靠性好，为充电器的稳定性提供了保障，延长了充电器的使用寿命。
联系人：曾小姐 0755-83268332 qq：2850187701
1) 交流输入电压范围 90-264vac 50/60hz
2) 直流输出 5v/1.0a
3) 满足能源之星2.0和5级能效的要求并有足够的余量(板端数据)
(实测平均效率在pcb 板端73.5%以上，能源之星2.0 标准是68.17%)
4) 满足空载功耗小于100mw (实测70mw@230vac)
5) 满足emi en55022 class b级的要求，并有足够的余量
6) 最大的输出纹波小于100mvp-p
7) 系统批量生产保证输出电压精度在±5%以内，输出电流精度在±5% 以内
8) 自恢复的短路保护和环路开路保护
fmd现推出了ft838mbd、ft839nb、ft839mb三种充电器方案
ft838mbd
1、高效率 ≥78.7% @115v/230v；
2、低待机功耗 ＜120mw；
3、输出纹波噪音低 ＜80mv；
4、内置mos，dip8封装，ic温升低，外围元件少，成本低；
5、在五级能效标准基础上有充足的效率余量；
ft839nb
1、高效率，可满足六级能效标准；
2、低待机功耗＜80mw@264vac；
3、输出cv/cc精度 ＜±5%；
4、内置npn，外围元件少，系统成本低；
5、保护功能齐全，可靠性好；
6、满足en55022 classb emi要求；
ft839mb
1、高效率，可满足六级能效标准；
2、低待机功耗＜80mw@264vac；
3、输出cv/cc精度 ＜±5%；
4、内置mos，sop-8，外围元件少，系统成本低；
5、保护功能齐全，可靠性好；
6、满足en55022 classb emi要求；
深圳市鹏锦科技有限公司
深圳市福田区燕南路家乐大厦4楼b3
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这份应用资料介绍了ft838nb/ft838rna系列原边反馈控制芯片及其应用电路。详细描述了它的特点和工作原理并结合实际的应用方案介绍外围电路的设计流程。
应用范围
1、待机功耗要求严格的待机电源应用
2、手机pda数码相机等电池充电器产品
3、adsl, 无绳电话等适配器产品
4、led射灯、灯杯和球泡灯等照明产品
特点
1、无光耦及tl431反馈
2、脉冲频率调制控制模式(pfm)
3、内置功率npn三极管
4、内置抖频功能来改善emi性能
5、每一个开关周期的电流限制功能
6、过压保护(ovp)
7、欠压锁定(uvlo)
8、输出短路保护
9、内置输出线损补偿
10、输入线电压补偿提高输出电流精度
芯片版本与管脚定义
芯片本版
线损补偿比例
ft838nb0
0%
ft838nb1
3%
ft838nb2
6%
ft838nb3
9%
ft838rna
n/a
表1ft838nb/ft838rna 芯片功
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ft838nb内置输出线损补偿用户可根据实际输出导线情况选择合适的芯片版本。ft838rna主要应用于led驱动应用故无线损补偿。
管脚号
管脚名称
注解
1
cs
初级电流检测端
2
fb
输出电压反馈端
3
vcc
供电端
4
nc
该管脚悬空
5
gnd
芯片的地
6
7
c
功率npn的集电极
8
表2 引脚定义
深圳市天宏测电子科技有限公司
唐小姐
13641464569
深圳市龙岗区横岗街道安良社区福坑二路十一号
