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闪存技术在企业里面的实际应用与部署:并非所有闪存驱动器均完全相同 虽然闪存能够取代数据中心的传统硬盘存储，但与磁介质相比，闪存实际上采用了不同的中硅或电子与非门，在性能、成本和数据保留特性上有很大不同，而这些因素可能会影响数据中心应用程序工作负载的经济性和运行状况。因此，在考虑采用闪存之前，有必要了解闪存技术的一些基本知识。写耐用性：与传统硬盘存储上的磁介质不同，对于闪存，必须先擦除其中存储的数据，才能写入或“编程”新数据，这称为“编程-擦除”周期(pe/c)。闪存上与非门的pe/c多约几千个，在经过大周期数量后，闪存驱动器的性能和可靠性将大大下降，性能可能会降至原来的十分之一。闪存技术的这一特性限制了可以在闪存驱动器上执行的写操作数量。闪存的这一限制称为写耐用性，以每日驱动器完全写入次数（或每日驱动器填充次数）表示。写悬崖：必须先擦除闪存驱动器中的与非门块才能将块写入，这一要求意味着闪存驱动器需要保留预先擦除的块，才能通过消除在每次按需执行擦除流程时可能发生的延迟来提高性能，即使写入较小的块也不例外。如果闪存驱动器中预先擦除的块不足，尤其是在驱动器已满的情况下或在持续的写密集型操作期间，可能会由于闪存驱动器尝试创建空闲的与非门块而产生较长时（50毫秒以上）的延迟。闪存驱动器的这种写入性能降级称为写悬崖。可以通过多种方法解决闪存驱动器的写耐用性和写悬崖问题，进而影响其成本和使用寿命。例如，要避免/延迟写悬崖，通常可过度配置用于内部事务处理的容量（增加每gb成本），以及使用称为“磨损均衡”的流程，将对同一个块的重复写入遍布到闪存上的多个新位置，以此确保驱动器受到均衡磨损（延长驱动器使用寿命）。
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闪存技术在企业里面的实际应用与部署:如今，市面上有三种基于写耐用性的常见企业级闪存驱动器。您对每项应用程序工作负载所选择的闪存驱动器可能会影响数据中心的经济性和运行状况。读优化(ro)或多层单元(mlc)驱动器：此类驱动器针对读操作进行了优化。通常，mlc闪存驱动器的写耐用性为每日对驱动器填充1-3次。mlc闪存驱动器也是价格低的企业级闪存驱动器。写密集型(wi)或单层单元(slc)驱动器：与ro驱动器相比，此类驱动器的写耐用性较高，并且过度配置程度通常更高。slc闪存驱动器的写耐用性通常为每日对驱动器填充20到30次。写耐用性越高，成本就越高；因此，slc是昂贵、可靠的企业级闪存驱动器。混用(mu)或企业级mlc (emlc)驱动器：这两种类型的驱动器尝试从写耐用性和成本角度上，兼顾slc驱动器和mlc驱动器各自的优势。mu驱动器的典型写耐用性为每日对驱动器填充5到10次。
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