mos电容的特性能被用来形成mos管。gate，电介质和backgate保持原样。在gate的两边是两个额外的选择性掺杂的区域。其中一个称为source，另一个称为drain。假设source 和backgate都接地，drain接正电压。只要gate对backgate的电压仍旧小于阈值电压，就不会形成channel。drain和backgate之间的pn结反向偏置，所以只有很小的电流从drain流向backgate。如果gate电压超过了阈值电压，在gate电介质下就出现了channel。这个channel就像一薄层短接drain和source的n型硅。由电子组成的电流从source通过channel流到drain。总的来说，只有在gate 对source电压v 超过阈值电压vt时，才会有drain电流。
在对称的mos管中，对source和drain的标注有一点任意性。定义上，载流子流出source，流入drain。因此source和drain的身份就靠器件的偏置来决定了。
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