氮化铝(aln)陶瓷基片
热导率高，电性能好，热胀系数与si片接近，无毒性，是取代beo陶瓷的理想材料。主要应用于高密度混合电路、微波功率器件、半导体功率器件、电力电子器件、光电子部件、半导体制冷等产品中作高性能基片材料和封装材料。
ain晶体以〔ain4〕四面体为结构单元共价键化合物，具有纤锌矿型结构，属六方晶系。化学组成 ai 65.81%，n34.19%，比重3.261g/cm3，白色或灰白色，单晶无色透明，常压下的升华分解温度为2450℃。为一种高温耐热材料。热膨胀系数（4.0-6.0）x10（-6）/℃。多晶ain热导率达260w/(m.k)，比氧化铝高5-8倍，所以耐热冲击好，能耐2200℃的极热。此外，氮化铝具有不受铝液和其它熔融金属及砷化镓侵蚀的特性，特别是对熔融铝液具有极好的耐侵蚀性。
性能指标
ø(1)热导率高(约320w/m·k)，接近beo和sic，是al2o3的5倍以上；
ø(2)热膨胀系数(4.5×10-6℃)与si(3.5-4×10-6℃)和gaas(6×10-6℃)匹配；
ø(3)各种电性能(介电常数、介质损耗、体电阻率、介电强度)优良；
ø(4)机械性能好，抗折强度高于al2o3和beo陶瓷，可以常压烧结；
ø(5)光传输特性好；
ø(6)无毒；
2应用编辑
氮化铝陶瓷基片，热导率高，膨胀系数低，强度高，耐高温，耐化学腐蚀，电阻率高，介电损耗小，是理想的大规模集成电路散热基板和封装材料。
氮化铝硬度高,超过传统氧化铝,是新型的耐磨陶瓷材料,但由于造价高,只能用于磨损严重的部位.
利用ain陶瓷耐热耐熔体侵蚀和热震性，可制作gaas晶体坩埚、al蒸发皿、磁流体发电装置及高温透平机耐蚀部件，利用其光学性能可作红外线窗口。氮化铝薄膜可制成高频压电元件、超大规模集成电路基片等。、氮化铝耐热、耐熔融金属的侵蚀，对酸稳定，但在碱性溶液中易被侵蚀。ain新生表面暴露在湿空气中会反应生成极薄的氧化膜。利用此特性，可用作铝、铜、银、铅等金属熔炼的坩埚和烧铸模具材料。ain陶瓷的金属化性能较好，可替代有毒性的氧化敏瓷在电子工业中广泛应用。
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