1.开启电压vt
·开启电压（又称阈值电压）：使得源极s和漏极d之间开始形成导电沟道所需的栅极电压；
·标准的n沟道mos管，vt约为3～6v；
·通过工艺上的改进，可以使mos管的vt值降到2～3v。
2. 直流输入电阻rgs
·即在栅源极之间加的电压与栅极电流之比
·这一特性有时以流过栅极的栅流表示
·mos管的rgs可以很容易地超过1010ω。
3. 漏源击穿电压bvds
·在vgs=0（增强型）的条件下 ，在增加漏源电压过程中使id开始剧增时的vds称为漏源击穿电压bvds
·id剧增的原因有下列两个方面：
（1）漏极附近耗尽层的雪崩击穿
（2）漏源极间的穿通击穿
·有些mos管中，其沟道长度较短，不断增加vds会使漏区的耗尽层一直扩展到源区，使沟道长度为零，即产生漏源间的穿通，穿通后，源区中的多数载流子，将直接受耗尽层电场的吸引，到达漏区，产生大的id
4. 栅源击穿电压bvgs
·在增加栅源电压过程中，使栅极电流ig由零开始剧增时的vgs，称为栅源击穿电压bvgs。
5. 低频跨导gm
·在vds为某一固定数值的条件下 ，漏极电流的微变量和引起这个变化的栅源电压微变量之比称为跨导
·gm反映了栅源电压对漏极电流的控制能力
·是表征mos管放大能力的一个重要参数
·一般在十分之几至几ma/v的范围内
深圳市鼎泰丰电子科技有限公司旗舰店
13751179101