| 类型其他IC | 用途军工 |
| 品牌LSH/绿山 | 型号20E |
| 封装20L |
对低压下铜化学机械抛光(cmp)碱性抛光液的性能进行了研究.在分析碱性抛光液作用机理的基础上,对铜移除速率、表面粗糙度等性能进行了考察.结果表明:加入络合剂r(nh2)m(oh)n实现铜在碱性抛光液中的溶解,同时提高了的铜移除速率(41.34kpa:1050nm/min; 6.89kpa:440nm/min)并降低了表面粗糙度:在较高压力(41.34kpa)下,铜晶圆表面粗糙度虽然从18.2 nm降至2.19 nm,但仍有明显的划伤存在,并且划伤达到了18.2 nm;在低压下(6.89 kpa),铜晶圆表面粗糙度从13.5 nm降至0.42 nm,划伤只有1.8nm,可满足45 nm极大规模集成电路的光刻焦深要求
西安绿山半导体科技有限公司
李女士
13572978283
陕西 西安 灞桥区 西安市灞桥区现代纺织城产业园纺园二路55号